闩锁效应

闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中一个重要的问题,这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。

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研究SOI NMOS器件在单粒子效应下电荷积累特性的技术论文,涵盖器件物理与辐射效应分析,适用于集成电路可靠性设计参考。

2026-03-19 1 闩锁效应