闩锁效应

闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一个重要的问题，这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。

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采用高精度霍尔效应模型，深入分析线圈匝数对磁场感应的影响，结合电源设计与电路仿真实现精准验证，适用于电磁场建模与传感器开发场景。

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MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET...

2022-03-20 4 闩锁效应

场效应三极管及其放大电路场效应管的分类；2. 结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原理、

2023-10-18 6 闩锁效应