闩锁效应

闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一个重要的问题，这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。

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阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET) 型传感器的结构和工作原理。它是在pH2ISFET传感器的基础上用PVC 方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器

2024-05-12 4 闩锁效应

LM3S系列单片机JTAG口解锁应用笔记介绍LM3S系列单片机的JTAG口被设置为GPIO后，恢复JTAG功能的方法。

2013-10-19 37 闩锁效应

该程序为电子密码锁的应用程序，能够实现红外遥控和键盘同时输入密码，若正确则开锁否则报警！

2013-12-28 40 闩锁效应

该文提出一种动态多频锁相算法。与传统锁相方法相比，该算法不需要选择参考信号的类型，在继承了传统锁相方法高信噪比优点的基础上，能够锁出由一个基频和多个倍频分量合成的复合信号的幅值，从而获得更多的有用信息

2023-10-17 1 闩锁效应

资料->【B】电子技术->【B3】传感测量->【2】遥控遥感->【IR、红外】->红外遥控电子密码锁应用研究.pdf

2024-06-24 10 闩锁效应

专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G VMOS功率场效应晶体管及其应用-225页-3.2M.pdf

2013-05-23 68 闩锁效应

专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G VMOS功率场效应晶体管及其应用-225页-3.2M.pdf

2013-04-24 168 闩锁效应

实用电子技术专辑 385册 3.609GVMOS功率场效应晶体管及其应用 225页 3.2M.pdf

2014-05-05 19 闩锁效应