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采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器
资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【0】工艺质量（可靠性、电磁兼容、抗干扰、WDT、品管）->压电薄膜的制备、结构与应用 167页 3.2M.pdf
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本文介绍了程控数字交换机上专用芯片MH89625C 的结构、功能以及我们在具体设计中的实际应用, 该芯片最大的优点是它集成了全部BORSCHT 功能。它是一种新型且功能齐全的用户接口,具有集成度高、接
针对单机版薄膜蒸发器参数化设计系统的诸多局限性，研究了B/S 模式远程参数化设计的基本原理及实现方法，并开发了基于WebClass 的薄膜蒸发器远程参数化设计系统，对实现其它过程设备的远程参数化设计有