实用电子技术专辑 385册 3.609G金属氧化物非线性电阻特性和应用 401页 6.0M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
元器件样本专辑 116册 3.03G上海巨马电气 光电,接近,光纤,光幕,冷热金属检测 等传感器样本 21M.rar
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
栅氧化层中BD的相关机制
标签： breakdown
上传时间： 2015-05-07
上传用户：sunrems
利用声学探测金属裂纹的原理,开发实时监测仪器
上传时间： 2016-01-18
上传用户：tatatayu
连续波激光辐照下金属材料的二维非线性温度场研究66666666
上传时间： 2018-12-21
上传用户：南漂的邵年
滑膜变结构控制MATLAB仿真程序1源程序
上传时间： 2019-10-11
上传用户：pucuiping
选用8% ( 摩尔分数) 氧化钇稳定氧化锆粉, 制成氧化锆水系料浆。通过调节pH 值和分散剂含量, 利用测试zeta 电位、流变性质、沉积实验、沉积颗粒形貌SEM 观察等分析手段, 最终得到高分散、稳定的氧化锆料浆。
上传时间： 2020-06-20
上传用户：xlin01
计算滑动轴承非线性油膜力的matlab程序
标签： 非线性
上传时间： 2020-08-29
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GB 228-1987 金属拉伸试验方法 本标准规定金属常温拉伸试验方法，用以测定本标准所规定的一项或几项力学性能
上传时间： 2021-01-21
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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