金刚
共 38 篇文章
金刚 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 38 篇文章，持续更新中。
ALTERA黑金刚demo板程序
ALTERA黑金刚demo板程序FPGA源代码与工程文件，可以在QURATUS软件中直接运行。
《深入浅出AVR单片机》精要
《深入浅出AVR单片机》精要，ADI大学计划 王卓然 金刚/148页。
乙醇对金刚石膜生长特性的影响.pdf
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超硬超厚类金刚石薄膜合成研究.pdf
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基于DSP的金刚石压机智能控制系统设计
·摘要： 本文提出了一种金刚石压机的新型控制模式-基于DSP(TMS320LF2407)的嵌入式控制系统,并介绍了该控制系统的软硬件设计.在算法上,根据工艺要求采用智能PID控制和模糊PID控制策略代替传统的PID控制,对人造金刚石生产中的工艺参数加热功率和加压压力实现有效控制,极大地提高了人造金刚石的质量和品级.
氮气流量对金刚石膜生长的影响研究.pdf
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负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究.pdf
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人造金刚石压机单片机控制系统
人造金刚石合成设备属高温高压设备,由于压力失控、工步混乱等可能会酿成严重后果,故其单片机控制系统需要高度可靠和多重安全保护防范.本文介绍一种模仿PLC工作原理的单片机控制系统,论述其实现安全可靠的软硬件保障措施.
基于DSP的人造金刚石压机智能控制系统
· 摘要： 采用TI公司的DSP数字信号处理器TMS320LF2407为核心的智能控制系统对六面顶压机生产人造金刚石的整个生产工艺过程进行全方位控制和监测,可提高压机运行的可靠性和生产效率.根据工艺要求采用智能PID控制策略对人造金刚石生产中的工艺参数加热功率和加压压力实现有效控制,可提高人造金刚石产品的质量和品位.
基于PLC 的金刚石烧结体温度控制系统The Temperature Control System of the Diamond Sintered BodyBased on PLC
<P>以可编程控制器PLC 为核心，形成纯滞后一阶闭环温度自动监控系统。在加热阶段<BR>采用模糊控制算法进行升温控制。保温阶段，采用PI 算法实现恒温控制。即采用模糊控制和PI 控制相结合办法，达到
基于W77E58的金刚石压机测控系统设计
本文研究了金刚石压机测控系统的主要结构，讨论了温度、压力的检测和控制方法，进行了系统的软硬件设计。<BR>关键词：金刚石压机， 嵌入式技术， 温度， 压力。<BR>目前我国人造金刚石的生产多采用六面顶
基于IPC 与PLC 相结合的金刚石合成机控制系统的研制
以金刚石合成机控制系统改造为例，提出了一种基于IPC 与PLC 相结合的DCS 控制系统。在系统设计中，采用了上位机与下位机独立运行、以串行通信方式进行信息传递方法，并且引入了容错技术，大大提高了系统
以OPA660为例，介绍互补双极性电路的技术要求以及带金刚石晶体管和缓冲器电路的功能性及应用的说明
With the increasing use of current-feedback amplifiers, the<BR>Diamond Structure has come to play a
超硬超厚类金刚石薄膜合成研究
<P>采用过滤真空阴极直流弧源（Filtered Cathodic Vicuum Arc Deposition, FCVA）方法沉积超硬（>6000HV）超厚(微米级)的DLC/DLC多层薄膜。
钢构件设计软件
软件自称是：
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压阻式金刚石压力传感器的优化设计
介绍了一种新型金刚石高温压力传感器的优化设计方法。采用薄板弯曲理论研究了均匀载荷作用下多晶金刚石方膜在小挠度和大挠度下的应变分布情况。对设计时应当考虑的主要问题包括金刚石力敏电阻条的掺杂浓度,电桥的形
P掺杂类金刚石薄膜的制备及生物学行为研究
<P>摘要：应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石（diamond like carbon，DLC）薄膜。结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层，P 的掺杂增加了DLC
CVD金刚石厚膜晶格缺陷分析
<P>摘要：应用X射线衍射仪的薄膜附件对热丝化学气相沉积金刚石厚膜的成核面和生长面进行分析，结果表明，金刚石厚膜的晶格常数从生长面到形核面沿深度方向是逐渐变小的。化学气相沉积金刚石初期生长的晶体存在大
负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究
<P>由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差，利用化学气相沉积（CVD）制备金刚石膜时，金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低。而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率，表明金
氮气流量对金刚石膜生长的影响研究
<P>采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜，研究了不同氮气流量对金刚石膜的生长速率、表面形貌和膜品质的影响。实验发现，在较低的氮气流量下，金刚石膜的生长速率增加，在较高的氮气流