软开关技术是电力电子装置向高频化、高功率密度化发展的关键技术，已成为现代电力电子技术研究的热点之一。微处理器的出现促进了电力电子变换器的控制技术从传统的模拟控制转向数字控制，数字控制技术可使控制电路大为简化，并能提高系统的抗干扰能力、控制灵活性、通用性以及智能化程度。本文提出了一种利用耦合输出电感的新型次级箝位ZVZCS PWM DC/DC变换器，其反馈控制采用数字化方式。 论文分析了该新型变换器的工作原理，推导了变换器各种状态时的参数计算方程；设计了以ARW芯片LPC2210为核心的数字化反馈控制系统，通过软件设计实现了PWM移相控制信号的输出；运用Pspice9.2软件成功地对变换器进行了仿真，分析了各参数对变换器性能的影响，并得出了变换器的优化设计参数；最后研制出基于该新型拓扑和数字化控制策略的1千瓦移相控制零电压零电流软开关电源，给出了其主电路、控制电路、驱动电路、保护电路及高频变压器等的设计过程，并在实验样机上测量出了实际运行时的波形。 理论分析与实验结果表明：该变换器拓扑能实现超前桥臂的零电压开关，滞后桥臂的零电流开关；采用ARM微控制器进行数字控制，较传统的纯模拟控制实时反应速度更快、电源稳压性能更好、外围电路更简单、设计更灵活等，为实现智能化数字电源创造了基础，具有广泛的应用前景和巨大的经济价值。
上传时间： 2013-08-03
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设计了一种新型的机载过压保护电路。该电路以芯片LT4356和APL502L为主要器件，简单可靠，能够满足防80 V/50 ms浪涌电压要求。介绍了该防浪涌电压保护电路主要特点和参数设计，并对该电路进行了仿真分析。相应实验结果表明，该电路是一种可靠有效的机载过压保护电路。
上传时间： 2013-10-10
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DU1763是一款兼容可控硅调光器的高压线性恒流控制器，可直接驱动多通道LED灯串。其电源系统结构简单，只需很少的外围元件就可以实现优秀的恒流特性的调光特性。主要应用于对体积、成本要求苛刻的非隔离兼容可控硅调光器的LED恒流驱动电源系统。同时由于无需电解电容及磁性元件等特点，可以实现很长的电源寿命。 DU1763可以根据实际应用情况去选择三通道或二勇斗。DU1763还可以多芯片并联或串联应用：其输出电流可通过电流采样电阻进行编程。可自适输出LED灯串的电压大小。 DU1763集成了专利的防过冲技术和过温补偿功能。DU1763还集成了各种保护功能，包括输出短路、输出开路、过温保护。从而提高了LED恒流电源的可靠性。
上传时间： 2013-11-06
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基于输入28.5 VDC，输出总功率180 W的机载计算机电源的设计，为满足“GJB181飞机供电特性”中对飞机用电设备输入28.5 VDC时过压浪涌80 V/50ms的要求，采用检测输入电压并控制MOSFET导通和关断的方法，通过对该电路的理论数据分析及与实际测试数据做比较，模拟了80 V/50 ms过压浪涌的试验，并用示波器记录了测试波形，得出该设计电路在输入28.5 VDC时，可以完全满足GJB181飞机供电特性过压浪涌要求的结论。并通过扩展应用介绍了在其他输入电压类型时过压浪涌保护电路的设计。
上传时间： 2013-10-18
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系统介绍逆变器中IGBT 的驱动与保护技术, 给出了IGBT 对驱动电路的要求, 介绍了三菱公司的IGBT 驱动电路M 57962L 以及IGBT 的过压、过流、过热保护等措施。这些措施实用性强, 保护效果好。
上传时间： 2013-10-10
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变压器的零序保护的配置原则是什么?答：(1)中性点直接接地电网的变压器应装设零序(接地)保护作为变压器主保护的后备保护和相邻元件接地短路的后备保护。 (2)当变压器中性点同时装设有避雷器和放电间隙时，应装设零序电流保护作为变压器中性点直接接地运行时的保护，并增设一套反映间隙放电电流的零序电流保护和一套零序电压保护作为变压器中性点不接地运行时的保护。后者作为间隙放电电流的零序电流保护的后备保护。 (3)自耦变压器的零序保护的不能接在中性线回路的电流互感器上，应接在本侧的零序电流滤过器上，并且高、中压侧加装方向元件，以保证选择性。
上传时间： 2013-12-03
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针对目前使用的RS232接口数字化B超键盘存在PC主机启动时不能设置BIOS，提出一种PS2键盘的设计方法。基于W78E052D单片机，采用8通道串行A/D转换器设计了8个TGC电位器信息采集电路，电位器位置信息以键盘扫描码序列形式发送，正交编码器信号通过XC9536XL转换为单片机可接收的中断信号，软件接收到中断信息后等效处理成按键。结果表明，在满足开机可设置BIOS同时，又可实现超声特有功能，不需要专门设计驱动程序，接口简单，成本低。 Abstract: Aiming at the problem of the digital ultrasonic diagnostic imaging system keyboard with RS232 interface currently used couldn?蒺t set the BIOS when the PC boot， this paper proposed a design method of PS2 keyboards. Based on W78E052D microcontroller，designed eight TGC potentiometers information acquisition circuit with 8-channel serial A/D converter， potentiometer position information sent out with keyboard scan code sequentially.The control circuit based on XC9536 CPLD is used for converting the mechanical actions of the encoders into the signals that can be identified by the MCU， software received interrupt information and equivalently treatmented as key. The results show that the BIOS can be set to meet the boot， ultrasound specific functionality can be achieved at the same time， it does not require specially designed driver，the interface is simple and low cost.
上传时间： 2013-10-10
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常用三星单片机烧写电压设置参考表 烧写电压说明:Vdd 电压指烧写时加载到芯片Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp 电压均为12V,因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V 的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:将烧写器烧写座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp 端即可.当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好能在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104 的电容入地,可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp 脚而造成Vpp 击穿.S3F84K4 烧写特别说明,由于三星半导体DATA SHEET 要求在对该芯片进行烧写时,须在Vpp 脚加接一个101 的电容到地,因此在使用我站各款烧写器烧写84K4 时,须将烧写器主板上的Vpp 端原来并接的10uf/50V-电解电容和104 电容去掉,另行并接一个101 电容入地即可.不过,据本人特别测试结果,其实不做以上处理对烧写过程没有任何影响, 估计可能是三星半导体对芯片有做过改版,老版本的84K4 才会有以上特别要求,新版本是没有这个要求的.
上传时间： 2013-10-10
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MSP430系列flash型超低功耗16位单片机MSP430系列单片机在超低功耗和功能集成等方面有明显的特点。该系列单片机自问世以来，颇受用户关注。在2000年该系列单片机又出现了几个FLASH型的成员，它们除了仍然具备适合应用在自动信号采集系统、电池供电便携式装置、超长时间连续工作的设备等领域的特点外，更具有开发方便、可以现场编程等优点。这些技术特点正是应用工程师特别感兴趣的。《MSP430系列FLASH型超低功耗16位单片机》对该系列单片机的FLASH型成员的原理、结构、内部各功能模块及开发方法与工具作详细介绍。MSP430系列FLASH型超低功耗16位单片机 目录 第1章 引 论1.1 MSP430系列单片机1.2 MSP430F11x系列1.3 MSP430F11x1系列1.4 MSP430F13x系列1.5 MSP430F14x系列第2章 结构概述2.1 引 言2.2 CPU2.3 程序存储器2.4 数据存储器2.5 运行控制2.6 外围模块2.7 振荡器与时钟发生器第3章 系统复位、中断及工作模式3.1 系统复位和初始化3.1.1 引 言3.1.2 系统复位后的设备初始化3.2 中断系统结构3.3 MSP430 中断优先级3.3.1 中断操作--复位/NMI3.3.2 中断操作--振荡器失效控制3.4 中断处理 3.4.1 SFR中的中断控制位3.4.2 中断向量地址3.4.3 外部中断3.5 工作模式3.5.1 低功耗模式0、1（LPM0和LPM1）3.5.2 低功耗模式2、3（LPM2和LPM3）3.5.3 低功耗模式4（LPM4）22 3.6 低功耗应用的要点23第4章 存储空间4.1 引 言4.2 存储器中的数据4.3 片内ROM组织4.3.1 ROM 表的处理4.3.2 计算分支跳转和子程序调用4.4 RAM 和外围模块组织4.4.1 RAM4.4.2 外围模块--地址定位4.4.3 外围模块--SFR4.5 FLASH存储器4.5.1 FLASH存储器的组织4.5.2 FALSH存储器的数据结构4.5.3 FLASH存储器的控制寄存器4.5.4 FLASH存储器的安全键值与中断4.5.5 经JTAG接口访问FLASH存储器39第5章 16位CPU5.1 CPU寄存器5.1.1 程序计数器PC5.1.2 系统堆栈指针SP5.1.3 状态寄存器SR5.1.4 常数发生寄存器CG1和CG25.2 寻址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 变址模式5.2.3 符号模式5.2.4 绝对模式5.2.5 间接模式5.2.6 间接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的时钟周期与长度5.3 指令组概述5.3.1 双操作数指令5.3.2 单操作数指令5.3.3 条件跳转5.3.4 模拟指令的简短格式5.3.5 其他指令第6章 硬件乘法器6.1 硬件乘法器6.2 硬件乘法器操作6.2.1 无符号数相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.2 有符号数相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.3 无符号数乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.4 有符号数乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.3 硬件乘法器寄存器6.4 硬件乘法器的软件限制6.4.1 寻址模式6.4.2 中断程序6.4.3 MACS第7章 基础时钟模块7.1 基础时钟模块7.2 LFXT1与XT27.2.1 LFXT1振荡器7.2.2 XT2振荡器7.2.3 振荡器失效检测7.2.4 XT振荡器失效时的DCO7.3 DCO振荡器7.3.1 DCO振荡器的特性7.3.2 DCO调整器7.4 时钟与运行模式7.4.1 由PUC启动7.4.2 基础时钟调整7.4.3 用于低功耗的基础时钟特性7.4.4 选择晶振产生MCLK7.4.5 时钟信号的同步7.5 基础时钟模块控制寄存器7.5.1 DCO时钟频率控制7.5.2 振荡器与时钟控制寄存器7.5.3 SFR控制位第8章 输入输出端口8.1 引 言8.2 端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理8.2.3 P1、P2的中断控制功能8.3 端口P3、P4、P5和P68.3.1 端口P3、P4、P5和P6的控制寄存器8.3.2 端口P3、P4、P5和P6的端口逻辑第9章 看门狗定时器WDT9.1 看门狗定时器9.2 WDT寄存器9.3 WDT中断控制功能9.4 WDT操作第10章 16位定时器Timer_A10.1 引 言10.2 Timer_A的操作10.2.1 定时器模式控制10.2.2 时钟源选择和分频10.2.3 定时器启动10.3 定时器模式10.3.1 停止模式10.3.2 增计数模式10.3.3 连续模式10.3.4 增/减计数模式10.4 捕获/比较模块10.4.1 捕获模式10.4.2 比较模式10.5 输出单元10.5.1 输出模式10.5.2 输出控制模块10.5.3 输出举例10.6 Timer_A的寄存器10.6.1 Timer_A控制寄存器TACTL10.6.2 Timer_A寄存器TAR10.6.3 捕获/比较控制寄存器CCTLx10.6.4 Timer_A中断向量寄存器10.7 Timer_A的UART应用 第11章 16位定时器Timer_B11.1 引 言11.2 Timer_B的操作11.2.1 定时器长度11.2.2 定时器模式控制11.2.3 时钟源选择和分频11.2.4 定时器启动11.3 定时器模式11.3.1 停止模式11.3.2 增计数模式11.3.3 连续模式11.3.4 增/减计数模式11.4 捕获/比较模块11.4.1 捕获模式11.4.2 比较模式11.5 输出单元11.5.1 输出模式11.5.2 输出控制模块11.5.3 输出举例11.6 Timer_B的寄存器11.6.1 Timer_B控制寄存器TBCTL11.6.2 Timer_B寄存器TBR11.6.3 捕获/比较控制寄存器CCTLx11.6.4 Timer_B中断向量寄存器第12章 USART通信模块的UART功能12.1 异步模式12.1.1 异步帧格式12.1.2 异步通信的波特率发生器12.1.3 异步通信格式12.1.4 线路空闲多机模式12.1.5 地址位多机通信格式12.2 中断和中断允许12.2.1 USART接收允许12.2.2 USART发送允许12.2.3 USART接收中断操作12.2.4 USART发送中断操作12.3 控制和状态寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 发送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率选择和调整控制寄存器12.3.5 USART接收数据缓存URXBUF12.3.6 USART发送数据缓存UTXBUF12.4 UART模式，低功耗模式应用特性12.4.1 由UART帧启动接收操作12.4.2 时钟频率的充分利用与UART的波特率12.4.3 多处理机模式对节约MSP430资源的支持12.5 波特率计算 第13章 USART通信模块的SPI功能13.1 USART同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式13.1.2 SPI模式中的从模式13.2 中断与控制功能 13.2.1 USART接收/发送允许位及接收操作13.2.2 USART接收/发送允许位及发送操作13.2.3 USART接收中断操作13.2.4 USART发送中断操作13.3 控制与状态寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 发送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率选择和调制控制寄存器13.3.5 USART接收数据缓存URXBUF13.3.6 USART发送数据缓存UTXBUF第14章 比较器Comparator_A14.1 概 述14.2 比较器A原理14.2.1 输入模拟开关14.2.2 输入多路切换14.2.3 比较器14.2.4 输出滤波器14.2.5 参考电平发生器14.2.6 比较器A中断电路14.3 比较器A控制寄存器14.3.1 控制寄存器CACTL114.3.2 控制寄存器CACTL214.3.3 端口禁止寄存器CAPD14.4 比较器A应用14.4.1 模拟信号在数字端口的输入14.4.2 比较器A测量电阻元件14.4.3 两个独立电阻元件的测量系统14.4.4 比较器A检测电流或电压14.4.5 比较器A测量电流或电压14.4.6 测量比较器A的偏压14.4.7 比较器A的偏压补偿14.4.8 增加比较器A的回差第15章 模数转换器ADC1215.1 概 述15.2 ADC12的工作原理及操作15.2.1 ADC内核15.2.2 参考电平15.3 模拟输入与多路切换15.3.1 模拟多路切换15.3.2 输入信号15.3.3 热敏二极管的使用15.4 转换存储15.5 转换模式15.5.1 单通道单次转换模式15.5.2 序列通道单次转换模式15.5.3 单通道重复转换模式15.5.4 序列通道重复转换模式15.5.5 转换模式之间的切换15.5.6 低功耗15.6 转换时钟与转换速度15.7 采 样15.7.1 采样操作15.7.2 采样信号输入选择15.7.3 采样模式15.7.4 MSC位的使用15.7.5 采样时序15.8 ADC12控制寄存器15.8.1 控制寄存器ADC12CTL0和ADC12CTL115.8.2 转换存储寄存器ADC12MEMx15.8.3 控制寄存器ADC12MCTLx15.8.4 中断标志寄存器ADC12IFG.x和中断允许寄存器ADC12IEN.x15.8.5 中断向量寄存器ADC12IV15.9 ADC12接地与降噪第16章 FLASH型芯片的开发16.1 开发系统概述16.1.1 开发技术16.1.2 MSP430系列的开发16.1.3 MSP430F系列的开发16.2 FLASH型的FET开发方法16.2.1 MSP430芯片的JTAG接口16.2.2 FLASH型仿真工具16.3 FLASH型的BOOT ROM16.3.1 标准复位过程和进入BSL过程16.3.2 BSL的UART协议16.3.3 数据格式16.3.4 退出BSL16.3.5 保护口令16.3.6 BSL的内部设置和资源附录A 寻址空间附录B 指令说明B.1 指令汇总B.2 指令格式B.3 不增加ROM开销的模拟指令B.4 指令说明（字母顺序）B.5 用几条指令模拟的宏指令附录C MSP430系列单片机参数表附录D MSP430系列单片机封装形式附录E MSP430系列器件命名
上传时间： 2014-04-28
上传用户：sssnaxie
已通过CE认证。（为什么要选择经过CE认证的编程器？） 程速度无与伦比,逼近芯片理论极限。 基本配置48脚流行驱动电路。所选购的适配器都是通用的（插在DIP48锁紧座上），即支持同封装所有类型器件，48脚及以下DIP器件无需适配器直接支持。通用适配器保证快速新器件支持。I/O电平由DAC控制，直接支持低达1.5V的低压器件。 更先进的波形驱动电路极大抑制工作噪声,配合IC厂家认证的算法,无论是低电压器件、二手器件还是低品质器件均能保证极高的编程良品率。编程结果可选择高低双电压校验,保证结果持久稳固。 支持FLASH、EPROM、EEPROM、MCU、PLD等器件。支持新器件仅需升级软件（免费）。可测试SRAM、标准TTL/COMS电路，并能自动判断型号。 自动检测芯片错插和管脚接触不良,避免损坏器件。 完善的过流保护功能,避免损坏编程器。 逻辑测试功能。可测试和自动识别标准TTL/CMOS逻辑电路和用户自定义测试向量的非标准逻辑电路。 丰富的软件功能简化操作，提高效率，避免出错，对用户关怀备至。工程（Project）将用户关于对象器件的各种操作、设置，包括器件型号设定、烧写文件的调入、配置位的设定、批处理命令等保存在工程文件中，每次运行时一步进入写片操作。器件型号选择和文件载入均有历史（History）记录，方便再次选择。批处理（Auto）命令允许用户将擦除、查空、编程、校验、加密等常用命令序列随心所欲地组织成一步完成的单一命令。量产模式下一旦芯片正确插入CPU即自动启动批处理命令，无须人工按键。自动序列号功能按用户要求自动生成并写入序列号。借助于开放的API用户可以在线动态修改数据BUFFER，使每片芯片内容均不同。器件型号选错，软件按照实际读出的ID提示相近的候选型号。自动识别文件格式, 自动提示文件地址溢出。 软件支持WINDOWS98/ME/NT/2000/XP操作系统（中英文）。 器件型号 编程(秒) 校验(秒) P+V (s) Type 28F320W18 9 4.5 13.5 32Mb FLASH 28F640W30 18 9 27 64Mb FLASH AM29DL640E 38.3 10.6 48.9 64Mb FLASH MB84VD21182DA 9.6 2.9 12.5 16Mb FLASH MB84VD23280FA 38.3 10.6 48.9 64Mb FLASH LRS1381 13.3 4.6 19.9 32Mb FLASH M36W432TG 11.8 4.6 16.4 32Mb FLASH MBM29DL323TE 17.5 5.5 23.3 32Mb FLASH AT89C55WD 2.1 1 3.1 20KB MCU P89C51RD2B 4.6 0.9 5.5 64KB MCU
上传时间： 2013-10-18
上传用户：suicoe
