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过流<b>保护</b>

  • 超声波发生器的研究

    自从超声科技问世以来,其发展日新月异,应用日益广泛,已经取得了良好的社会效益和经济效益。但是作为一门综合性极强的交叉学科,超声学研究与应用均起步较晚,技术状况已远远不能满足我国经济事业多领域的需求,广阔的市场前景促使我们加大研究力度。本文首先介绍了功率超声波技术的原理和发展趋势,然后详细分析了超声波设备的组成、关键技术以及设计难点,并采用三种不同的控制方案设计、制作了超声波发生器,分别应用在超声波清洗机和焊接机中。主电路使用集MOSFET和GTR的优点于一身的IGBT作为开关管,构成半桥逆变电路。通过分析超声波换能器的阻抗特性,比较换能器工作在串联谐振频率和并联谐振频率的优劣,介绍了几种匹配方式的特点,设计了匹配电路。控制电路中分别采用了锁相方式、扫频控制方式以及模糊自适应控制方式实现了对超声负载的自动频率跟踪,并且功能完善,配备了软启动、死区调节、限流、过流、驱动自保护和过热保护,有力的保障了系统长时间工作的稳定性和可靠性。最后通过实验,证明了设计的方案可靠,适应性强,样机不仅具有频率自适应功能,而且能够功率自适应,具有良好的推广应用意义。关键词:超声波发生器、阻抗特性、匹配电路、锁相环、扫频控制、模糊自适应

    标签: 超声波发生器

    上传时间: 2022-06-18

    上传用户:d1997wayne

  • 基于mppt技术的家用太阳能光伏发电系统的研究

    本文对家用太阳能光伏发电系统进行了研究和设计。首先在太阳能电池工作原理的基础上对其输出特性进行了仿真。根据其输出的非线性关系,阐述了最大功率点跟踪(MPPT)的原理,并结合DC-DC变换器对常用的MPPT算法进行了仿真。通过对比几种方法的优缺点,给出了一种新型MPPT算法。接着对储能蓄电池的充放电特性进行了研究,然后根据负载的要求计算了蓄电池的容量,并采用Boost变换器对其进行充电控制。其次,考虑到蓄电池组的电压等级较低,为使输出220V的交流电,通过分析几种拓扑结构,最终采用“推挽升压电路+全桥逆变”的电源设计方案以提高整个系统的效率,设计包括硬件和软件两部分。在推挽电路中介绍了各元器件参数的选择、高频变压器的设计及其控制电路等,其中PWM驱动电路输出采用图腾柱的方式以增强其驱动能力;逆变电路同样给出了功率开关管、滤波器的选取方法,并设计了过流保护和电压采样调理电路,对滤波器传递函数的仿真验证了设计的合理性。在软件设计中,基于DSP实现了MPPT控制、SPWM驱动信号的生成和P1闭环反馈控制。最后,论文给出了相关实验电路的调试结果,从中可以看出,所设计的电路实现了各部分的功能,并验证了设计的合理性。关键词:太阳能电池;最大功率点跟踪;推挽电路:SPWM:DSP

    标签: mppt 太阳能 光伏发电系统

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:trh505

  • 几种用于IGBT驱动的集成芯片

    在一般较低性能的三相电压源逆变器中, 各种与电流相关的性能控制, 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可,如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时, 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中, 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单, 成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250,夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器, 8脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 的内部结构简图, 表1 给出了其工作时的真值表。TLP250 的典型特征如下:1) 输入阈值电流( IF) : 5 mA( 最大) ;2) 电源电流( ICC) : 11 mA( 最大) ;3) 电源电压( VCC) : 10~ 35 V;4) 输出电流( IO) : ± 0.5 A( 最小) ;5) 开关时间( tPLH /tPHL ) : 0.5 μ( s 最 大 ) ;6) 隔离电压: 2500 Vpms(最小)。表2 给出了TLP250 的开关特性,表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。注: 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来稳定高增益线性放大器的工作, 提供的旁路作用失效会损坏开关性能, 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-20

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  • 基于GaN器件射频功率放大电路的设计

    本文主要是基于氮化锌(GaN)器件射频功率放大电路的设计,在s波段频率范围内,应用CREE公司的氮化稼(GaN)高电子迁移速率品体管(CGH40010和CGH40045)进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面:首先,设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内,对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点,继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构,使用ADS软件对其进行仿真优化,设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下:通带宽度为800MHz,在通带范围内的增益dB(S(2,1)>)10dB、驻波比VSWR1<2.VSWR2<2,3dB输出功率压缩点分别大于40dBm46dBm,效率大于40%.其次,设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能,借助Orcad模拟电路仿真软件,设计出满足要求的电源电路。最后,分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制图软件,绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板,并通过对硬件电路的调试,最终使得整体电路满足了设计性能的要求。

    标签: GaN器件 射频功率放大电路

    上传时间: 2022-06-20

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  • 三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析.

    摘要:对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析,对TLP250,EXB系列和M579系列进行了深入的讨论,给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图,还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项,对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验,通过有关的波形验证了它们的特点,最后得出结论:IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词:绝缘栅双极晶体管:集成电路;过流保护1前言电力电子变换技术的发展,使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代,为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件,有人提出了绝缘门极双极型品体管(IGBT)[1].在IGBT中,用一个MoS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输,这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件,它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源(UPS)和交流电机调速系统的设计中,它是日前最为常见的一种器件。

    标签: 三相逆变器 igbt 驱动电路

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:jiabin

  • 电磁感应加热系统及IGBT功率模块驱动

    本文把所研制的IGBT驱动保护电路应用在电磁感应加热系统上,并且针对注塑机的特点设计了一款电磁感应加热系统。其中包括整流滤波电路、半桥逆变电路、控制电路、驱动电路和温度、电流等检测电路。本文的另一个重点分析了IGBT对驱动保护电路的要求,并且研制了一种单管IGBT驱动保护电路和一种IGBT半桥模块驱动保护电路。单管1GBT驱动电路的功能比较简单,只具有软关断和过流保护功能。而IGBT半桥模块驱动保护电路功能比较多,具有软关断、互锁、电平转换、错误信号电平转换、过流保护、供电电压监视、电源隔离和脉冲隔离电路等保护功能,适用于中大功率的IGBT半桥模块驱动。在电磁感应加热部分介绍了电磁感应加热的工作原理,分析了串并联谐振逆变器的拓扑结构和特点。根据注塑机的实际应用设计了两款主电路的拓扑结构,一款是针对小功率部分加热的拓扑结构,是单管IGBT的拓扑结构,另一款是针对中大功率加热部分的半桥IGBT拓扑结构。另外介绍了电磁感应加热的控制电路以及采用模糊PID算法对注塑机料筒进行温度监控调节。最后通过对系统的仿真和实验调试表明整个感应加热系统满足实际应用要求,运行可靠,适合于再注塑机行业中推广。最后,总结了本文的研究内容,并在此基础上对以后的工作做出了简单的展望。

    标签: 电磁感应加热系统 igbt 功率模块

    上传时间: 2022-06-21

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  • 分立元件IGBT驱动电路的改进与测试

    摘要:本文在分析1GBT的动态开关特性和过流状态下的电气特性的基础上,通过对常规的IGBT推挽驱动电路进行改进,得到了具有良好过流保护特性的IGBT驱动电路。该电路简单,可靠,易用,配合DSP等控制芯片能达到很好的驱动效果Abstract:Based on the studies on the dynamic switching and over-current characteristics of IGBT,this paper makes some improvments to the original push-pull driving circuit,obtains a new IGBT driving circuit which has a good over-current protection function.The circuit is simple,reliable and easy to use.Combined with controlling chips such as DSP it will do a great job in driving applications.关键词:IBGT:开关特性;驱动;过流保护;Key Words:IGBT;switching characteristics;driving:over-current protection

    标签: 分立元件 igbt 驱动电路

    上传时间: 2022-06-21

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  • 电子元器件系列知识—IGBT

    一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1,Q2 为驱动功率推挽放大,通过光耦隔离后的信号需通过Q1,Q2 推挽放大。选择Q1,Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时,需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大,因此IGBT 关断时,最好加一个负偏电压,且负偏电压比MOSFET 大, IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内;开通时,驱动电压最佳值为15V 10% ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和,这时通态压降也比较低,同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ,则IGBT 通态损耗较大, IGBT 处于欠压驱动状态;若 VGE >20V ,则难以实现电流的过流、短路保护,影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件,需要的驱动功率值比较小,一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ,或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压,栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为:PAV =(VGE(ON ) +VGE( off ) )* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V,VGE( off ) =10V,则 PAV 简化为: PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为:

    标签: 电子元器件 igbt

    上传时间: 2022-06-21

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  • 新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流,广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中,电机控制器、辅助动力系统,电动空调中,IGBT有着广泛的使用,大功率IGB多应用于电机控制器中,由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大,IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中,在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升,可通过温度传感器来进行检测,并由相应的电路来实现保护;过压一般发生在IGBT关断时,较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压,可通过采用缓冲电路来钳制,或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流,很快就会损坏1GBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中,保护功能设计得是否完善,对系统的安全运行尤其重要。

    标签: 新能源汽车 电机控制器 igbt

    上传时间: 2022-06-22

    上传用户:XuVshu

  • LDO线性稳压电源管理芯片设计

    论文首先论述了线性稳压电源的基本原理,以此为基础对系统设计进行整体考虑,构建了系统整体架构,并制定了芯片的设计指标。利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论,根据系统稳定性原理,采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠根据设计指标,论文详细设计了芯片内部电路模块,包括:带隙基准电压源、误差放大器、过热保护、过流保护和使能电路等,通过综合比较晶体管的性能,确定调整管的类型,在基准电生源设计中,采用了电流相加的新型电路结构,使输出基准电压不仅具有良好的温度特性和电源电压抑制特性,而且克服了传统电路结构电压基准源的输出电压不能改变的缺点,提高了模块的可移植性,并充分考虑了低电压低功耗设计;在过热保护电路设计中,采用温度迟滞系统,克服了单温度保护点电路易受温度变化误触动的缺点。借助Cadence Spectre仿真软件完成仿真验证,实验结果表明,该系统在正常工作时,能得到3V稳定的输出电压,压降仪为150mv;在1K时电源抑制比为65.55dB,在10K时电源抑制比为50dB:在温度范围(-30℃-90℃)内系统能保持良好的稳定性,达到了设计要求,并完成了主要电路模块的版图设计与验证。

    标签: ldo 电源管理

    上传时间: 2022-06-23

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