如何正确导入Spice模型方法一、将模型文件粘在当前的图纸上，方法见图：步骤1：复制模型文件（米源于OrCAD PSpice Model）步骤2：将复制的文件复制到下图所示位置步骤3：点击上面框图中的OK，将文件粘贴在纸面上，然后从文件中拖一个三极管出来，将名字改成一样即可。方法二、如有*.1ib的库文件，比如PSPICE的日本晶体管库jbipolar.lib，将该文件考到LTC LTspicelV\lib\sub目录中。然后按图操作：方法三：将模型文件直接粘贴到LTCYLTspiceIV\ib\cmp中的相应文件中。如要将PSPICE的diode.lib的模型全导入到cmp中的standard.dio中。先用记事本打开diode.1ib，全选，复制。而后用记事本打开standard，dio，在其适当的位置粘贴，关闭。发现二极管库里多了很多元件（见下图）。三极管同理。
上传时间： 2022-06-22
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随着半导体技术的发展，模数转换器（Analog to Digital Converter，ADC）作为模拟与数字接口电路的关键模块，对性能的要求越来越高。为了满足这些要求，模数转换器正朝着低功耗、高分辨率和高速度方向快速发展。在磁盘驱动器读取通道、测试设备、纤维光接收器前端和日期通信链路等高性能系统中，高速模数转换器是最重要的结构单元。因此，对模数转换器的性能，尤其是速度的要求与日俱增，甚至是决定系统性能的关键因素。在分析各种结构的高速模数转换器的基础上，本文设计了一个分辨率为6位，采样时钟为1GS/s的超高速模数转换器。本设计采用的是最适合应用于超高速A/D转换器的全并行结构，整个结构是由分压电阻阶梯，电压比较器，数字编码电路三部分组成。在电路设计过程中，主要从以下几个方面进行分析和改进：采用了无采样/保持电路的全并行结构；在预放大电路中，使用交叉耦合对晶体管作为负载来降低输入电容和增加放大电路的带宽，从而提高比较器的比较速度和信噪比；在比较器的输出端采用时钟控制的自偏置差分放大器作为输出缓冲级，使得比较输出结果能快速转换为数字电平，以此来提高ADC的转换速度；在编码电路上，先将比较器输出的温度计码转换成格雷码，再把格雷码转换成二进制码，这样进一步提高ADC的转换速度和减少误码率。
上传时间： 2022-06-22
上传用户：kingwide
进年来，脉冲功率装置的使用愈来愈广泛。由于高功率脉冲电变换器源能够为脉冲功率装置的负载提供能量，是构成脉冲功率装置的主体。本文采用LT3751为核心，采用电容、电感储能、并通过电力电子器件配合脉冲变压器设计了反激式功率变换器电路，并通过基于LTspice进行电路瞬态分析，以得到最佳的电路模型。LTspice IV是一款高性能Spice Il仿真器、电路图捕获和波形观测器，并为简化开关稳压器的仿真提供了改进和模型。凌力尔特（LINEAR）对Spice所做的改进使得开关稳压器的仿真速度极快，较之标准的Spice仿真器有了大幅度的提高，并且LTspice IV带有80%的凌力尔特开关稳压器的Spice和Macro Model（宏模型），200多种运算放大器模型以及电阻器、晶体管和MOSFET模型，使得我们在进行电路设计仿真，特别是开关电路的设计与仿真时更加轻松。
上传时间： 2022-06-22
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论文首先论述了线性稳压电源的基本原理，以此为基础对系统设计进行整体考虑，构建了系统整体架构，并制定了芯片的设计指标。利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论，根据系统稳定性原理，采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠根据设计指标，论文详细设计了芯片内部电路模块，包括：带隙基准电压源、误差放大器、过热保护、过流保护和使能电路等，通过综合比较晶体管的性能，确定调整管的类型，在基准电生源设计中，采用了电流相加的新型电路结构，使输出基准电压不仅具有良好的温度特性和电源电压抑制特性，而且克服了传统电路结构电压基准源的输出电压不能改变的缺点，提高了模块的可移植性，并充分考虑了低电压低功耗设计；在过热保护电路设计中，采用温度迟滞系统，克服了单温度保护点电路易受温度变化误触动的缺点。借助Cadence Spectre仿真软件完成仿真验证，实验结果表明，该系统在正常工作时，能得到3V稳定的输出电压，压降仪为150mv；在1K时电源抑制比为65.55dB，在10K时电源抑制比为50dB：在温度范围（-30℃-90℃）内系统能保持良好的稳定性，达到了设计要求，并完成了主要电路模块的版图设计与验证。
上传时间： 2022-06-23
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1引言有要发光二极管（OLED）具有低驱动电压、宽温工作、主动发光、响应速度快和视角宽等优点]，其作为全彩显示器件，与LCD相比，具有更简单的工艺和更低的成本。近年，单色和局域色的OLED显示屏已有较多报道~1，并推出了全彩OLED显示屏~9]。本文研制了尺寸为1.9、分辨率为128（×3）×160的全彩OLED屏。在目前报道的同等或以下尺寸的采用无源矩阵（PM）驱动的全彩OLED屏中，该屏的分辨率处于较高水平。2全彩OLED屏2.1全彩技术的实现图1是5种实现全彩OLED显示屏技术的示意图。本文采用（a）所示的平面结构式，每个全彩像素包括红、绿和蓝3个子像素，利用空间混色实现彩色。这种技术的难点是在制作全彩OLED时，需要将红、绿和蓝OLED的发光层（EML）材料分隔开01。屏的最高分辨率不仅受限于机械掩模制作的公差，还受限于在器件制作工艺过程中机械掩模与ITO基板玻璃的对准误差。2.2P-OLED屏的驱动技术OLFD属于电流型器件，其发光亮度与驱动电流成正比，故OLED均采用恒流源驱动。由于OLED自身较高的寄生电容（20~30pF/pixel）和ITO电极引线的电阻（几～几109/口形成的电压降，对恒流源的性能提出了较高的要求，例如可提供高达~30V的电压。为了实现多灰度显示，电流必须可程控。lare公司为了精确控制每个OLED子像素的发光亮度，提出了预充电方案]。根据有无开关和驱动薄膜晶体管的存在，可将矩阵式OLED的驱动可分为P10l和有源矩阵AM112种。PM驱动的显示器件由于制作工艺比AM要简单得多，且成本低廉，故在小尺寸的显示器件上得到了广泛应用。PM驱动电路如图2所示。
标签： oled
上传时间： 2022-06-24
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《新概念模拟电路》丛书包含了《晶体管》、《负反馈和运算放大器》、《运放电路的频率特性和滤波器》、《信号处理电路》以及《源电路·信号和电源》
标签： 模拟电路
上传时间： 2022-07-03
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《现代无线系统射频电路实用设计:有源电路与系统》(卷2)从介绍有源线性电路和RF稳定性分析开始，讲述了低噪声和小信号宽带放大器设计。同时对现代RF器件及其建模做出综述，探究像谐波平衡这样的非线性电路仿真技术，并始终用大量的图示来说明有源电路设计中现代CAD工具的使用方法。工程师们通过在高功率RF晶体管放大器、振荡器、混频器和倍频器应用这些非线性设计技术，然后再去学习理论，会对器件的工作．性能有个直观的理解。
上传时间： 2022-07-04
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SG3525 是一种应用广泛的PWM 集成控制芯片, 在介绍SG3525 的功能特点以及 IGBT 驱动模块的基础上, 详细阐述了基于SG3525 为控制核心的大功率开关电源的设计。该电源主电路采用半桥式逆变电路, 应用反馈手段和脉冲调制技术实现电压的稳定输出。最后, 给出了试验结果。试验表明, 该电源具有良好的性能。随着电子技术的高速发展, 电子设备的种类与日俱增。任何电子设备都离不开可靠的供电电源, 对电源供电质量的要求也越来越高, 而开关电源在效率、重量、体积等方面相对于传统的晶体管线性电源具有显著优势。正是由于开关电源的这些特点, 它在新兴的电子设备中得到广泛应用, 已逐渐取代了连续控制式的线性电源。
上传时间： 2022-07-12
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从射频器件半导体的属性和模型入手的一本经典书籍，即使不做射频 芯片设计，从事射频电路设计的工程师如果能从半导体器件和模型深入研究一下半导体的属性，对于自己深入理解放大器也是大有好处的。
上传时间： 2022-07-17
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此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
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