边界效应

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研究SOI NMOS器件在单粒子效应下电荷积累特性的技术论文,涵盖器件物理与辐射效应分析,适用于集成电路可靠性设计参考。

2026-03-19 1 边界效应

·摘 要:针对小波变换进行图像压缩过程中重建图像易引起边缘振荡的问题,提出一种非延拓消除边缘振荡的方法。它通过提升算法与传统的非线性ENO-小波变换结合,把高频分量边缘的能量集中到低频分量上,用小波分量模的极大值对跃变点进行奇异性检测,有效...

2024-09-14 3 边界效应