辐射效应是电子设备在电磁环境中性能变化的关键因素，广泛应用于航空航天、通信系统及医疗设备等领域。深入理解辐射效应有助于提高产品可靠性与安全性。本页面汇集了669份精选资源，涵盖理论分析、实验研究及防护措施等内容，为工程师提供全面的学习资料和技术支持。探索最新研究成果，掌握前沿技术，提升您的专业技能。...
场效应管放大电路介绍 由场效应管组成放大电路时，也要建立合适的静态工作点Q，而且场效应管是电压控制器件，因此需要有合适的栅源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种形式，即自偏压电路和分压式偏压电路。
Field Effect Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导
MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，...
电磁辐射的数值分析与仿真（基于MATLAB语言）。包括两个点电荷的电场，均匀同相矩形口径场的方向性因子。
针对空间场中多电磁辐射污染源作用下监测点标准限制算法的问题，提出了一种基于距离因子函数的标准限值计算公式。该算法不仅解决了多污染源共同作用下某一时刻监测点标准限值的计算问题，而且能够计算任意时刻任意监