MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相...
MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相...
利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块,其输出脉冲功率达1200W,工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明,该放大器工作稳定,性能可靠...
为使本书成为国内目前 最新、最全、最适用的晶体管 代换手册,编者根据国内外 出版的最新资料,在1992年 最新增订版的基础上,又增 加了数千种日本晶体管和数 千种欧州晶体管型号及其代 换的国内外型号,并且,还介 绍了美国1985年以前生产 的3N型场效应管及其代换 型号。 本手...
模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Raz...
DSP系统的降噪技术,PowerPCB在印制电路板设计中的应用技术,PCB互连设计过程中最大程度降低RF效应的基本方法...