本文针对6KV中压电网三相平衡负载的无功功率补偿，结合二极管箝位多电平逆变器和H桥级联多电平逆变器的特点，提出了一种能够直接并入电网的新型主从式的逆变器结构：主逆变器采用二极管箝位三电平逆变器，从逆变器采用三个H桥(即全桥)逆变器。主逆变器和H桥逆变器采用级联的形式连接，最后构成一个五电平的混联逆变器。从逆变器负责产生一个方波电压，构成输础正弦电压的基本成分：主逆变器产生输出电压的补偿部分以及负责消除低次谐波。对于主逆变器直流侧电容电压的平衡问题，本文提出了一种采用硬件电路平衡的方法，从而降低了PWM调制时控制方法的复杂性。因为集成门极换相晶闸管(IGCT)这种新型电力电子器件具有开关频率高、无缓冲电路、耐压高等优点，主电路选用IGCT作为开关器件。本文详细分析了用于STATCOM的主从型逆变器电路结构，同时给出了电路参数的确定方法，并对STATCOM逆变器输出电压的谐波进行了理论分析。根据本文提出的主从型逆交器结构特点，建立了基于瞬时无功理论的STATCOM系统动态控制模型，并给出了一种解藕反馈控制方法。最后通过仿真结果证明了所提出的这种主从型逆变器STA’rC0^I结构在消除谐波方面的优越性。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：frank1234
GTT系列固态继电器的设计为模拟输入信号（0－10V或0－20/4－20mA）或电位计（从1KΩ到10KΩ）的负载提供了高准确度的控制。电气设计确保了电源的均衡周期时间能够自动优化。对于给定的输入信号，计算GTT为负载提供的可能的最小周期数量，以维持必要的准确度。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：dbs012280
文章针对LDO稳定性的问题，提出了一种内部动态频率补偿电路，使LDO线性稳压器的稳定性不 受负载电容的等效串联电阻的影响，其单位增益带宽也不随负载电流变化而改变，大大提高了瞬态响应特性； 采用Hynix 0．5 1TI CMOS工艺模型对电路进行仿真；此外，该电路在实现动态频率补偿的基础上又加人了 系统的过流保护功能，当负载电流大于限制电流时，LDO不能正常工作；当负载电流小于限制电流时，又自动 恢复到正常工作状态
上传时间： 2013-10-27
上传用户：黑漆漆
从超级电容器储能系统的运行机理出发，设计了含双向DC-AC-DC 变换器的超级电容器储能系统主电路结构，并建立了其统一模型。仿真结果证明了所建统一模型的正确性和有效性, 并表明超级电容器储能系统提高了分布式发电系统的运行稳定性。
上传时间： 2013-12-23
上传用户：lllliii
提出一种虚拟阻抗模型的电流互感器饱和判别方法, 它可以有效地识别区内外故障因电流互感器( TA) 饱和对差动保护的影响。在电力系统的线路、母线、主设备等一些差动保护中, 区外故障时, 在大的短路电流作用下TA 饱和容易造成保护误动。基于RL 模型的短数据窗算法可以测得保护安装点的二次等效系统阻抗, 它可以等效到在系统故障增量模型中虚拟一条阻抗支路。区内外故障TA 饱和时, 该支路虚拟阻抗会发生明显的变化。分析该阻抗在TA 饱和与否情况下的变化规律, 利用这种变化规律可以可靠、灵敏地判别出区内外故障TA 饱和, 是否闭锁差动保护, 提高差动保护的可靠性。
上传时间： 2013-12-11
上传用户：杜莹12345
38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器 随着电力电子技术的发展，电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域，涉及到国民经济各行各业。特别是近年来，随着IGBT的广泛应用，开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大功率，高性能的开关电源成为趋势。某电源系统要求输入电压为AC220V，输出电压为DC38V，输出电流为100A，输出电压低纹波，功率因数>0.9，必要时多台电源可以直接并联使用，并联时的负载不均衡度<5％。 设计采用了AC/DC/AC/DC变换方案。一次整流后的直流电压，经过有源功率因数校正环节以提高系统的功率因数，再经半桥变换电路逆变后，由高频变压器隔离降压，最后整流输出直流电压。系统的主要环节有DC/DC电路、功率因数校正电路、PWM控制电路、均流电路和保护电路等。 1 有源功率因数校正环节 由于系统的功率因数要求0.9以上，采用二极管整流是不能满足要求的，所以，加入了有源功率因数校正环节。采用UC3854A/B控制芯片来组成功率因数电路。UC3854A/B是Unitrode公司一种新的高功率因数校正器集成控制电路芯片，是在UC3854基础上的改进。其特点是：采用平均电流控制，功率因数接近1，高带宽，限制电网电流失真≤3％[1]。图1是由UC3854A/B控制的有源功率因数校正电路。 该电路由两部分组成。UC3854A/B及外围元器件构成控制部分，实现对网侧输入电流和输出电压的控制。功率部分由L2，C5，V等元器件构成Boost升压电路。开关管V选择西门康公司的SKM75GB123D模块，其工作频率选在35kHz。升压电感L2为2mH/20A。C5采用四个450V/470μF的电解电容并联。因为，设计的PFC电路主要是用在大功率DC/DC电路中，所以，在负载轻的时候不进行功率因数校正，当负载较大时功率因数校正电路自动投入使用。此部分控制由图1中的比较器部分来实现。R10及R11是负载检测电阻。当负载较轻时，R10及R11上检测的信号输入给比较器，使其输出端为低电平，D2导通，给ENA(使能端)低电平使UC3854A/B封锁。在负载较大时ENA为高电平才让UC3854A/B工作。D3接到SS（软启动端），在负载轻时D3导通，使SS为低电平；当负载增大要求UC3854A/B工作时，SS端电位从零缓慢升高，控制输出脉冲占空比慢慢增大实现软启动。 2 DC/DC主电路及控制部分分析 2.1 DC/DC主电路拓扑 在大功率高频开关电源中，常用的主变换电路有推挽电路、半桥电路、全桥电路等[2]。其中推挽电路的开关器件少，输出功率大，但开关管承受电压高（为电源电压的2倍），且变压器有六个抽头，结构复杂；全桥电路开关管承受的电压不高，输出功率大，但是需要的开关器件多（4个），驱动电路复杂。半桥电路开关管承受的电压低，开关器件少，驱动简单。根据对各种拓扑方案的工程化实现难度，电气性能以及成本等指标的综合比较，本电源选用半桥式DC/DC变换器作为主电路。图2为大功率开关电源的主电路拓扑图。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：ukuk
直流电子负载大赛,基于单片机的电子负载毕业论文(含原理图+程序)
上传时间： 2013-10-31
上传用户：lwwhust
介绍一种无极可调交流电子负载设计的新方法，由ATmega48单片机输出PWM波，通过上位机设定不同的占空比控制场效应管的通断时间，即改变流过场效应管的平均电流。根据电流的大小，可以等效为相应的负载，并将采集的电流值显示在上位机上。文中对该系统的软﹑硬件设计思路作了详细的分析，阐述了其设计原理。 Abstract: A new type electronic load is introduced.Due to ATmega48 microcomputer output PWM wave.The different duty is set ratio through PC to control FET turn-on time.We can equivalent homologous load according the current and display the current at PC.The hardware and software designing are analysed in detail. The principle is explained and the output is also given.
上传时间： 2013-11-23
上传用户：虫虫虫虫虫虫
本文介绍了一种基于低功耗单片机PIC16F628A 的蓄电池检测及均衡系统，实现了对蓄电池单体电压的循环检测以及对电池的自动均衡。文中给出了系统的硬件设计和软件设计以及PC 机与48 台PIC 单片机的通讯方案。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：huang111
地弹的形成：芯片内部的地和芯片外的PCB地平面之间不可避免的会有一个小电感。这个小电感正是地弹产生的根源，同时，地弹又是与芯片的负载情况密切相关的。下面结合图介绍一下地弹现象的形成。 简单的构造如上图的一个小“场景”，芯片A为输出芯片，芯片B为接收芯片，输出端和输入端很近。输出芯片内部的CMOS等输入单元简单的等效为一个单刀双掷开关，RH和RL分别为高电平输出阻抗和低电平输出阻抗，均设为20欧。GNDA为芯片A内部的地。GNDPCB为芯片外PCB地平面。由于芯片内部的地要通过芯片内的引线和管脚才能接到GNDPCB，所以就会引入一个小电感LG，假设这个值为1nH。CR为接收端管脚电容，这个值取6pF。这个信号的频率取200MHz。虽然这个LG和CR都是很小的值，不过，通过后面的计算我们可以看到它们对信号的影响。先假设A芯片只有一个输出脚，现在Q输出高电平，接收端的CR上积累电荷。当Q输出变为低电平的时候。CR、RL、LG形成一个放电回路。自谐振周期约为490ps，频率为2GHz，Q值约为0.0065。使用EWB建一个仿真电路。（很老的一个软件，很多人已经不懈于使用了。不过我个人比较依赖它，关键是建模，模型参数建立正确的话仿真结果还是很可靠的，这个小软件帮我发现和解决过很多实际模拟电路中遇到的问题。这个软件比较小，有比较长的历史，也比较成熟，很容易上手。建议电子初入门的同学还是熟悉一下。）因为只关注下降沿，所以简单的构建下面一个电路。起初输出高电平，10纳秒后输出低电平。为方便起见，高电平输出设为3.3V，低电平是0V。（实际200M以上芯片IO电压会比较低，多采用1.5－2.5V。）
标签： 分
上传时间： 2013-10-17
上传用户：zhishenglu
