调和
共 6 篇文章
调和 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 6 篇文章，持续更新中。
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：<br />
对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，R
斩波稳定(自稳零)精密运算放大器
要想获得最低的失调和漂移性能，斩波稳定(自稳零)放大器可能是唯一的解决方案。最好的双极性放大器的失调电压为25 V，漂移为0.1 V/ºC。斩波放大器尽管存在一些不利影响，但可提供低于5 V的失调电压，而且不会出现明显的失调漂移，<br />
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乘法DAC和运算放大器控制交流信号的失调和幅度
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本应用笔记介绍如何运用本文所述电路来避免添加额外的求和放大器，以及IOUT架构如何支持交流和直流两种输入，从而使该电路非常适合数据采集和仪器仪表应用。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-120615160Z0b1.jpg" style="width: 450px; height: 218px; "
精密运算放大器自动校零
运算放大器集成电路，与其它通用<BR>集成电路一样，向低电压供电方向发<BR>展，普遍使用3V供电，目的是减少功<BR>耗和延长电池寿命。这样一来，运算放<BR>大器集成电路需要有更高的元件精度和<BR>降低误差容限。运算放大器一般位于电<BR>路系统的前端，对于时间和温度稳定性<BR>的要求是可以理解的，同时要改进电路<BR>结构和修调技术。当前，运算放大器是<BR>在封装后用激光修调和斩波器稳
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
基于AD603程控宽带放大器的设计
本设计是采用AD603可控增益放大器芯片设计的一款高增益，高宽带直流放大器，采用两级级联放大电路了，提高了放大增益，扩展了通频带宽，而且具有良好的抗噪声系数，采用AT89S52芯片控制数模转换(DAC0832芯片)进行程控放大控制，在0—20MHz频带内，放大倍数在0-40dB之间进行调节，增益起伏为1dB。系统具有键盘输入预置，增益可调和液晶显示，具有很强的实际应用能力。