设计工艺
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CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计
CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计:采用GG2NMOS 结构的ESD 保护电路的工作原理和对其进行的ESD 实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果. 通过实验可以看
2023-10-24
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245GHz+CMOS工艺低噪声放大器的设计.pdf
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2023-05-09
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2024-08-07
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