pads的快捷建
上传时间： 2013-10-18
上传用户：赵云兴
PCB设计问题集锦 问：PCB图中各种字符往往容易叠加在一起，或者相距很近，当板子布得很密时，情况更加严重。当我用Verify Design进行检查时，会产生错误，但这种错误可以忽略。往往这种错误很多，有几百个，将其他更重要的错误淹没了，如何使Verify Design会略掉这种错误，或者在众多的错误中快速找到重要的错误。 答：可以在颜色显示中将文字去掉,不显示后再检查;并记录错误数目。但一定要检查是否真正属于不需要的文字。 问： What’s mean of below warning:(6230,8330 L1) Latium Rule not checked: COMPONENT U26 component rule.答：这是有关制造方面的一个检查，您没有相关设定，所以可以不检查。 问： 怎样导出jop文件？答：应该是JOB文件吧？低版本的powerPCB与PADS使用JOB文件。现在只能输出ASC文件，方法如下STEP：FILE/EXPORT/选择一个asc名称/选择Select ALL/在Format下选择合适的版本/在Unit下选Current比较好/点击OK/完成然后在低版本的powerPCB与PADS产品中Import保存的ASC文件，再保存为JOB文件。 问： 怎样导入reu文件？答：在ECO与Design 工具盒中都可以进行，分别打开ECO与Design 工具盒，点击右边第2个图标就可以。 问： 为什么我在pad stacks中再设一个via:1(如附件）和默认的standardvi(如附件）在布线时V选择1，怎么布线时按add via不能添加进去这是怎么回事，因为有时要使用两种不同的过孔。答：PowerPCB中有多个VIA时需要在Design Rule下根据信号分别设置VIA的使用条件，如电源类只能用Standard VIA等等，这样操作时就比较方便。详细设置方法在PowerPCB软件通中有介绍。 问：为什么我把On-line DRC设置为prevent..移动元时就会弹出(图2),而你们教程中也是这样设置怎么不会呢?答：首先这不是错误,出现的原因是在数据中没有BOARD OUTLINE.您可以设置一个,但是不使用它作为CAM输出数据. 问：我用ctrl+c复制线时怎设置原点进行复制，ctrl+v粘帖时总是以最下面一点和最左边那一点为原点 答： 复制布线时与上面的MOVE MODE设置没有任何关系,需要在右键菜单中选择,这在PowerPCB软件通教程中有专门介绍. 问：用(图4)进行修改线时拉起时怎总是往左边拉起(图5)，不知有什么办法可以轻易想拉起左就左，右就右。答： 具体条件不明,请检查一下您的DESIGN GRID,是否太大了. 问： 好不容易拉起右边但是用(图6)修改线怎么改怎么下面都会有一条不能和在一起，而你教程里都会好好的(图8)答：这可能还是与您的GRID 设置有关,不过没有问题,您可以将不需要的那段线删除.最重要的是需要找到布线的感觉,每个软件都不相同,所以需要多练习。 问： 尊敬的老师:您好！这个图已经画好了，但我只对（如图1）一种的完全间距进行检查，怎么错误就那么多，不知怎么改进。请老师指点。这个图在附件中请老师帮看一下，如果还有什么问题请指出来，本人在改进。谢！！！！！答：请注意您的DRC SETUP窗口下的设置是错误的,现在选中的SAME NET是对相同NET进行检查,应该选择NET TO ALL.而不是SAME NET有关各项参数的含义请仔细阅读第5部教程. 问： U101元件已建好，但元件框的拐角处不知是否正确，请帮忙CHECK 答：元件框等可以通过修改编辑来完成。问： U102和U103元件没建完全，在自动建元件参数中有几个不明白：如：SOIC--》silk screen栏下spacing from pin与outdent from first pin对应U102和U103元件应写什么数值，还有这两个元件SILK怎么自动设置，以及SILK内有个圆圈怎么才能画得与该元件参数一致。 答：Spacing from pin指从PIN到SILK的Y方向的距离,outdent from first pin是第一PIN与SILK端点间的距离.请根据元件资料自己计算。
上传时间： 2013-10-07
上传用户：comer1123
PCB LAYOUT 基本規範項次 項目 備註1 一般PCB 過板方向定義： PCB 在SMT 生產方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義： SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區).PAD
上传时间： 2014-12-24
上传用户：jokey075
凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列，這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：playboys0
LTC®4223 是一款符合微通信計算架構 (MicroTCA) 規範電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規範於近期得到了 PCI 工業計算機制造商組織 (PICMG) 的批準。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：我累个乖乖
DM11C 是专为LED 显示应用所设计的沈入电流式恒流驱动芯片。内建移位缓存器，数据锁存器，以及恒流电路组件于硅CMOS 芯片上。8 个输出通道的电流可由一外挂电阻调整。内建开/短路侦测电路组件帮助使用者侦测LED 异常(开路与短路)。系统可藉由读回串行输出端的侦测数据与原始数据进行比对以判定哪一通道发生异常。过温断电功能则可保护芯片避免在高温环境使用下而毁损
上传时间： 2013-11-09
上传用户：zw380105939
IC 特色 : ˙ 半谐振模式之 ZVS零电压切换 , 能有效降低切换损失 , 提高效率 , 并具展频功能 , 改善EMI . ˙ 轻 / 重载的 Duty Factor 皆在 CCM 与 DCM 边缘 , 是最能发挥次级 "同步整流" 效率的一种工作模式 . ˙ 空载时进入 Cycle Skipping ( Typical 0.3W ) , 有效达成环保规範 . ˙ 内建 "LEB前缘遮没" 功能 , 避免电流迴授失真 . ˙ 能随输入电压变化 , 自动补偿 OPP过功率保护点 . ˙ 精密的 OVP 过压保护点可自行设定 . ˙ 完整的保护功能 : OVP过压保护 , OCP过流保护 , OPP过载保护 , SWP线圈短路保护 , SCP输出短路保护 , OTP过温度保护 .
上传时间： 2014-12-24
上传用户：回电话#
在高性能交-直-交变频调速传动系统中，PWM 逆变器作为四象限变流器（4QC）的典型负载，其直流侧的静、动态行为对于4QC 的建模、控制方法及静动态性能研究和系统设计都具有重要作用。通过研究逆变器与4QC 拓扑结构的统一性，将4QC 的状态空间平均（SSA）模型经过移植得到逆变器的SSA 模型，进而提出四象限变流器的负载等效模型和近似简化等效模型；通过理论分析和仿真研究揭示四象限变流器的负载等效模型与逆变器及交流侧电路参数之间的定量关系，并给出等效模型的参数设计公式。仿真与实验研究结果证明了所建模型及理论分析的有效性。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：大融融rr
从超级电容器储能系统的运行机理出发，设计了含双向DC-AC-DC 变换器的超级电容器储能系统主电路结构，并建立了其统一模型。仿真结果证明了所建统一模型的正确性和有效性, 并表明超级电容器储能系统提高了分布式发电系统的运行稳定性。
上传时间： 2013-12-23
上传用户：lllliii
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
