衬底驱动MOSFET
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Si衬底GaN基材料及器件的研究
GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且...
2022-11-19
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MOSFET驱动保护电路设计
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使 其应用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET 驱动器的功耗及MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配；设计了基...
2016-01-11
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