衬底驱动MOSFET
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由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差，利用化学气相沉积（CVD）制备金刚石膜时，金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低。而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率，表明金
2024-02-01
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塑料薄膜衬底上复合敏感膜热释电传感器的制备
将So l2Gel 法制备的掺钙钛酸镧铅纳米粉粒(PCL T) 与聚偏氟乙烯2三氟乙烯(P (VDF2T rFE) 均匀复合, 作为热释电传感器的敏感膜, 比同样制备条件的纯聚偏氟乙烯2三氟乙烯膜的探
2024-04-02
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负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究.pdf
资料->【F】机械结构->【F0】机械综合->【3】五金材料->五金材料（钢材、塑料）->材料->负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究.pdf
2024-09-23
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