臭氧总量

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从基础原理到实验分析,循序渐进讲解80C31单片机在总剂量效应下的电路表现。涵盖辐射环境对芯片性能的影响及应对策略,适合深入理解嵌入式系统可靠性设计。

2026-03-16 2 臭氧总量

对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大...

2024-07-08 2 臭氧总量