自适应滤波器的原理分析和设计流程,及matlab程序
上传时间: 2013-10-18
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为了提高数字水印抗击各种图像攻击的性能和保持图像的稳健性和不可见性,提出了一种基于离散小波变换(DWT),SVD(singular value decomposition)奇异值分解水印图像和原始载体图像的离散余弦变换(DCT)的自适应水印嵌入算法,主要是将水印图像的两次小波变换后的低频分量潜入到原始图像分块经过SVD分解的S分量矩阵中,同时根据图像的JPEG压缩比的不同计算各个图像块的水印调节因子。实验证明该算法在抗击JPEG压缩、中值滤波、加噪等均具有很好的鲁棒性,嵌入后的图像的PSNR达到38,具有良好的视觉掩蔽性
标签: 数字水印算法
上传时间: 2013-10-09
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介绍了一种横向Ka波段宽带波导-微带探针过渡的设计,基于有限元场分析软件Ansoft HFSS对该类过渡的设计方法进行了研究。最后给出了Ka波段内的优化数据。仿真结果表明,该宽带波导-微带探针过渡在26.5G~40 GHz内插入损耗小于0.065 dB,达到了设计目标。
上传时间: 2014-05-27
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自适应信号处理的理论和技术已经成为人们常用滤波和去噪技术。文中讲述了自适应滤波的原理以及LMS算法和RLS算法两种基本自适应算法的原理及步骤。并用MATLAB分别对两种算法进行了自适应滤波仿真和实现。
上传时间: 2013-11-26
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电磁导波检测技术因其非接触耦合的特性已被广泛应用于各种金属管道无损检测领域中,但导波的激励脉冲群重复频率的确定长久以来却没有一个有效的解决方法。为此,本文提出了以有、无缺陷的重复脉冲群检测信号的相关性作为判别标准,选取电磁导波激励脉冲群最佳重复频率,并从检测信号特征提取和识别的角度验证了本文选取的激励脉冲群最佳重复频率可有效提高导波检测信号之间的区分度,减小检测信号间的干扰,提高缺陷识别的准确性。
上传时间: 2013-11-04
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关于multisim如何自定义元器件
上传时间: 2013-10-14
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间: 2013-10-21
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运算放大器作为模拟集成电路设计的基础,同时作为DAC校准电路的一部分,本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。
上传时间: 2013-10-31
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在本课题中,兼顾了效率及线性度,采用自适应预失真前馈复合线性化系统来改善高功率放大器的线性度。由于加入自适应控制模块,射频电路不受温度、时漂、输入功率等的影响,可始终处于较佳工作状态,这使得整个放大系统更为实用,也更具有拓展价值。
上传时间: 2013-11-21
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负反馈放大电路之所以能够产生自激振荡,是因为在放大电路中存在 RC 环节。于是在放大电路的高频或低频段会产生附加相移DjAF ,如DjAF的足够大,使负反馈变成正反馈。
上传时间: 2014-01-26
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