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脑电

  • 太赫兹辐射物理及应用 英文版(脑控技术丛书)

    太赫兹辐射物理及应用 英文版(脑控技术丛书)太赫兹,脑控,无线电,物理,辐射

    标签: 太赫兹 脑控技术 无线电 物理辐射

    上传时间: 2022-06-08

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  • 生物信息学算法导论(脑控技术丛书)

    生物信息学算法导论(脑控技术丛书)脑控,信息,算法

    标签: 脑控技术 生物信息

    上传时间: 2022-06-08

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  • 太赫兹技术装置和应用手册 英文版(脑控技术丛书)

    太赫兹技术装置和应用手册 英文版(脑控技术丛书)太赫兹,脑控,无线电

    标签: 太赫兹 脑控技术 无线电

    上传时间: 2022-06-08

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  • 太赫兹科学技术和应用(脑控技术丛书)

    太赫兹科学技术和应用(脑控技术丛书)脑控,太赫兹,无线电

    标签: 脑控技术 太赫兹 无线电

    上传时间: 2022-06-08

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  • 半导体太赫兹源、探测器与应用 半导体科学与技术丛书(脑控技术丛书)

    半导体太赫兹源、探测器与应用 半导体科学与技术丛书(脑控技术)

    标签: 太赫兹 脑控技术 无线电

    上传时间: 2022-06-09

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  • 旋变解码芯片AD2S1205实例程序,包括芯片上电初始化时序、初始配置、不同工作模式选择等

    旋变解码芯片AD2S1205实例程序,包括芯片上电初始化时序、初始配置、不同工作模式选择等

    标签: ad2s1205

    上传时间: 2022-06-17

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  • 中颖电子锂电BMS管理方案介绍

    中颖电子锂电BMS管理方案介绍

    标签: 锂电BMS管理

    上传时间: 2022-06-17

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  • [资料] PD协议取电芯片原理图5V9V12V15V20V

    支持苹果、三星、小米等PD协议Type-C充电器取电5V9V12V15v20V。最大支持20V  5A ==100w

    标签: PD协议

    上传时间: 2022-06-17

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  • PD诱电芯片ic XSP05原理图,小家电适用

    这是一个用在小家电上的PD诱电芯片15V原理图。可以选择电压5V 9V 12V 15V,方便灵活。适用于PD充电器取电,例如苹果、三星、小米等。

    标签: PD诱电芯片 xsp05 小家电

    上传时间: 2022-06-17

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  • 压电陶瓷在超声波电机中的应用研究.

    超声波电机利用压电陶瓷的逆压电效应,将电能转变为机械振动,再通过摩擦作用将机械振动转变为电机的旋转(直线)运动,进而驱动负载。压电陶瓷作为超声波电机的振动发生器件,其性能的优劣直接影响到电机的输出性能。本文采用传统的固相反应法制备P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷,研究压电阿瓷在行被型超声波电机中的应用及压电性能对电机性能的影响.研究了P41和PMns-PZN-PZT压电陶瓷材料的结构、性能、频率温度稳定性及极化方式对压电陶瓷性能的影响。结果表明,这两种材料都具有较好的介电温度稳定性,P41具有明显的铁电体相变特点,PMns-PZN-PZT具有她豫-铁电体相变特点。采用同时同向一次极化工艺改善了二次极化工艺所遗留的各极化区域ds不均匀、分区界面应力的存在导致的性能不稳定性,同时缩短了极化时间,提高了超声波电机的输出性能.P-41陶的极化采件为3kV/mm,120 ℃极化15 min,PMnS-PZN-PZT陶瓷的极化条件为3.5 kV/mm.140℃极化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷的性能与超声波电机性能的相关性,探讨了电机的导纳、负载、启动与关断和温度特性。结果表明,电机具有较好的瞬态特性,启动时间ams,关断时间<l ms.采用P-41压电陶瓷电机的启动与关断速度比PMnS-PZIN-PZT压电陶登电机的快,与P41压电陶瓷具有非弛豫相变特点有关,说明P41压电陶瓷比较适用于需要反复开关的超声电机.同时,P41电机的Qm较小而Aar比较大(TRUM-60 1型电机),具有较好的负载驱动能力。电机的表面温度随运转时间的延长迅速升高,最终在某一温度下稳定运转,采用PMnS-PZN-PZT压电陶瓷电机的表面温度明显低于采用P41压电陶瓷的电机(TRLIM6011电机),与PMnS-PZN-PZT压电陶瓷具有非常低的介电损耗有关,因此这种材料比较适用于需要长时间运转的超声波电机。预压力对电机的性能影响很大,不同尺寸电机具有不同的驱动性能.

    标签: 压电陶瓷 超声波电机

    上传时间: 2022-06-18

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