本书系西安交通大学研究生创新教育系列教材，主要介绍了工程电介质物理与介电现象的理论和相关知识。本书是根据我国电气工程专业研究生教学改革的实践经验和发展需求，在原电工材料及绝缘技术学科研究生电介质物理课程内容的基础上，修订编写而成。
标签： 电介质
上传时间： 2022-05-15
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16 路高压输出LED 流星灯驱动电路–UCS1216一：概述根据市场需求，开发一款16 路高压NMOS 漂移栅开漏输出，降低成本，适用于LED 流星灯装饰领域。二：特点★CMOS 5V 工作★封装形式兼容DM134★NMOS 漂移栅开漏输出，耐压20V，输出电流40mA★内置流星灯模式,无需外控,实现流星灯效果★内置稳压管三：封装脚位：DIP24（或DIP16）
上传时间： 2022-05-16
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为了满足全国联网和两电东送的国家战略决策以及我国高压直流输电工程建设和运行的需要，考虑到高压直流输电技术的新发展并吸取国内外高压直流输电工程科研、设计、安装和运行的实际经验，结合葛洲坝—南桥、天生桥—广州、三峡—常州、三峡—广东、贵州—广东、三峡—上海、灵宝背靠背、高岭背靠背等大型直流输电工程的建设和运行，特组织修编了《高压直流输电工程技术(第二版)》一书。该书理论结合工程应用、全西系统、实用性较强，对我国高压直流输电工程的建设和运行具有重要的意义。 本书共十六章，主要内容有：直流输电概论、直流输电换流技术、直流输电稳态特性、直流输电控制系统与控制保护装置、直流输电系统故障分析与保护、换流站无功补偿与交流侧滤波、换流站直流侧滤波、直流输电系统过电压保护与换流站绝缘配合、直流输电外绝缘、直流输电线路环境影响、直流输电换流站主接线与主要设备、直流输电线路、直流输电接地极、背靠背直流输电工程、多端直流输电工程、直流输电工程可靠性分析及可用率等。 本书可供从事高压直流输电工程建设、设计、施工、运行、维护和检修，直流输电设备制造，电力系统规划设计与运行管理以及大功率换流技术等方面的专业技术人员、工程专家、管理干部等使用，也可以作为有关专业的研究生和大学生的参考书。
标签： 高压直流输电工程
上传时间： 2022-06-07
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74HC4066是一款硅栅COMS四路模拟开关，被设计用于处理模拟和数字信号。74HC4066的各开关允许振幅高达6V（峰值）的信号进行双向传输。 74HC4066的各个开关单元拥有各自的使能输入控制（C）。在C端输入高电平将会导通其对应的开关单元。 74HC4066的应用包括信号选通、斩波、调制解调（modem）、以及用于模数转换/数模转换的信号复用系统。
上传时间： 2022-06-10
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1.1 什么是整流电路整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成，20世纪70年代以后，主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波器接在主电路与负载之间，用于滤除脉动直流电压中的交流成分。变压器设置与否视具体情况而定。变压器的作用是实现交流输入电压与直流输出电压间的匹配以及交流电网与整流电路之间的电隔离。可以从各种角度对整流电路进行分类，主要的分类方法有：按组成的期间可分为不可控，半控，全控三种；按电路的结构可分为桥式电路和零式电路：按交流输入相数分为单相电路和多相电路；按变压器二次侧电流的方向是单向还是双向，又可分为单拍电路和双拍电路1.2整流电路的发展与应用电力电子器件的发展对电力电子的发展起着决定性的作用，因此不管是整流器还是电力电子技术的发展都是以电力电子器件的发展为纲的，1947年美国贝尔实验室发明了晶体管，引发了电子技术的一次革命：1957年美国通用公司研制了第一个品闸管，标志着电力电子技术的诞生：70年代后期，以门极可关断晶闸管（GTO）、电力双极型晶体管（BJT）和电力场效应晶体管（power-MOSFET）为代表的全控型器件迅速发展，把电力电子技术推上一个全新的阶段：80年代后期，以绝缘极双极型品体管（IGBT）为代表的复合型器件异军突起，成为了现代电力电子技术的主导器件。另外，采用全控型器件的电路的主要控制方式为PWM脉宽调制式，后来，又把驱动，控制，保护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC），随着全控型电力电子器件的发展，电力电电路的工作频率也不断提高。同时。电力电子器件的开关损耗也随之增大，为了减小开关损耗，软开关技术便应运而生，零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）把电力电子技术和整流电路的发展推向了新的高潮。
标签： 整流电路
上传时间： 2022-06-18
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直流接地故障判断及处理方法1 直流系统接地故障类型及特点分析1.1 无源型电阻性接地1.1.1 电阻单点接地。电阻性单点接地无论是金属性接地还是经过高电阻接地均会引起接地电阻的降低，当低于25 k Ω 时直流系统绝缘监察装置即会发出接地报警， 并进行选择查找接地点， 防止造成由于直流系统接地引起的误动、拒动。1.1.2 多点经高阻接地。当发生直流系统多点经高阻接地后， 直流系统的总接地电阻逐步下降，当低于整定值时，才发生接地告警，从而出现多点接地现象。如第一点80kΩ 接地，一般不会有告警，电压偏移也不多，第二点80kΩ 接地，并联后为40kΩ，高于绝缘监察设定的25kΩ 报警限值，一般也不会报警，但电压偏移会较大，在巡视、运行过程中要引起足够的重视，当第三点高阻接地发生后，如40kΩ，则第三点并联后直流接地电阻为20kΩ，这时必然会引起接地告警。多点经高阻接地引起的接地告警， 由于每条接地支路电阻均较高， 直流拉路选择变化不明显，可能漏掉真正的接地支路，此时最好能检测出支路的接地电阻值，而不是接地电流的相对值或百分比，可判断接地状况。1.1.3 多分支接地。有关设备经过多次改造或施工不小心及图纸设计不合理等，都将导致经多个电源点引来正电源或负电源去某个设备，当该设备发生接地时， 即为多分支接地， 比多点更麻烦， 通过拉闸几乎不可能找出接地支路，因为断开任何一条支路，接地点还存在，对地电压也不会发生变化或变化较小，此时应在保证安全的基础上断开所有支路再逐条支路送出，来查找接地电阻，但风险较大。1.2 有源接地通过交流( 如电压互感器或交流220V，其一端是接地的) 电源引起的接地引起的接地称为有源接地，交流220V串入直流系统将引起接地故障，由于其电压较高，接地母线对地电压为30 0V左右，非接地母线对地电压高达约500V，而且功率很大，常常会烧损保护和控制设备，并引起保护误动。交- 直流串电接地，只需再有一点接地即可引起保护误动或拒动，这是最严重的故障现象， 应引起特别关注，发生此类情况后立即进行查找。
标签： 直流接地故障
上传时间： 2022-06-18
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第一部分 出厂试验故障及不合格现象分析当出厂试验数据超出标准时，应对其进行分析，找出产生的原因并设法如以解决。现将出厂试验（包括修理后的试验）时出现的一场现象及其原因对应关系讲述如下。一、通电后不起动1）配电设备中有两相电路未接通，问题一般发生在开关触点上。2）电机内有两相电路未接通，问题一般发生在接线部位。二、通电后缓慢转动并发出“嗡嗡”的异常声响1）配电设备中有一相电路未接通或接触不实。问题一般发生在熔断器、开关触点或导线接点处。例如熔断器的熔丝熔断、接触器或空气开关三相触电接触压力不均衡、导线连接点松动或氧化等。2）电机内有一相电路未接通。问题一般发生在接线部位。如连接片未压紧（螺丝松动）、引出线与接线柱之间垫有绝缘套管等绝缘物质、电机内部接线漏接或结点松动、一相绕组有断路故障等。
标签： 异步电动机
上传时间： 2022-06-19
上传用户：20125101110
本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过和国内某知名代工线合作，完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论，然后结合代工线的特点，进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计，最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为：先进行器件背面的FS层制作，然后进行正面结构（包括元胞和终端）的制作，最后再进行背面的P+区注入和金属化。2、对流片获得的600V FS-IGBT器件进行了主要电学参数的测试和分析。测试结果为：耐压大于700V、正向导通压降低于1.15V、阈值电压4.1-4.5V。满足设计要求。/本论文的研究成果对于促进我国FS结构IGBT的研究和产业化具有很好的参考价值，通过进一步改进工艺及结构，提高产品良率，最终可以形成有竞争力的产品。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
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射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：shjgzh
1引言随着CCD技术的飞速发展，传统的时序发生器实现方法如单片机D口驱动法，EPROM动法，直接数字驱动法等，存在着调试困难、灵活性较差、驱动时钟频率低等缺点，已不能很好地满足CCD应用向高速化，小型化，智能化发展的需要。而可编程逻辑器件CPLD具有了集成度高、速度快、可靠性好及硬件电路易于编程实现等特点，可满足这些需要，而且其与VHDL语言的结合可以更好地解决上述问题，非常适合CCD驱动电路的设计。再加上可编程逻辑器件可以通过软件编程对其硬件的结构和工作方式进行重构，从而使得硬件的设计可以如同软件设计那样方便快捷，本文以东芝公司TCD1702C为例，阐述了利用CPLD技术，在分析其驱动时序关系的基础上，使用VHDL语言实现了CCD驱动的原理和方法。2线阵的工作原理及驱动时序分析TCD1702C为THOSHBA公司生产的一种有效像元数为7500的双沟道二相线阵CCD，其像敏单元尺寸为7um×7um×7um长宽高。中心距亦为7um.最佳工作频率IMHzTCD1702C的原理结构如图1所示。它包括：由存储电极光敏区和电荷转移电极转移栅组成的摄像机构，两个CCD移位寄存器，输出机构和补偿机构四个部分，如图1所示，
上传时间： 2022-06-23
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