2812的标准CMD文件【RAM和FLASH】
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华为WCDMA全网解决方案:本章首先介绍WCDMA系统不同版本之间演进过程，使读者对WCDMA制式有总体的认识；接着从具体的网络建设角度出发，介绍了华为WCDMA全网解决方案。 10.1 WCDMA演进概述 10.1.1 标准进展概述 WCDMA技术从出现以来逐渐演进发展为R99/R4/R5/R6等多个阶段，其中R99协议于2000年3月(3GPP官方说法是1999年12月)冻结功能，经过两年时间的完善，协议已经成熟；R4协议于2001年3月冻结功能，协议已经稳定。R5协议于2002年3月 （部分功能6月）冻结功能。R6协议预计在2004年12月左右冻结功能。 图10-1 3G协议的发展趋势 WCDMA系统相对于GSM网络和GPRS网络来说，一个最重要的变化就是无线网络的改变。WCDMA网络中，使用无线接入系统RAN来取代了GSM中的基站子系统BSS。 R99版本的WCDMA核心网从网络形态上来说，可以看作是GSM的核心网络和GPRS的核心网络的组合。也即R99的核心网络分为电路域和分组域。电路域与GSM的核心网构造基本相同，分组域与GPRS的核心网构造基本相同。 R4版本的核心网络相对于R99版本来说，最大的变化就在于R99核心网电路域中MSC网元的功能在R4版本中由MSC Server和MGW来完成。其中MSC Server处理信令，MGW处理话音。分组域没有什么变化。具体可参见第三章系统结构的相关内容。 R4协议的核心网络具有TDM和IP两种组网方式。采用TDM方式组网时，R4网络的网络规划建设与R99网络有不少相近之处。比如在建设汇接网络、信令网络等方面，很多考虑都是相同的。采用IP方式组网的时候，R4的网络规划建设则与R99有了不小的区别。 R5版本的核心网络相对于R4版本来说，多了一个IMS（IP多媒体子系统）域，增加了相应的设备和接口；电路域和分组域的网络结构则没有什么大变化。同时由于网络功能的增强，部分设备功能也进行了升级。
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
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