AO3403
上传时间： 2015-01-03
上传用户：qwerasdf
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使 其应用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET 驱动器的功耗及MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配；设计了基于IR2130 驱动模块的 MOSFET 驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无 刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
标签： mosfet 保护
上传时间： 2016-01-11
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PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术，自学了《电子封装材料 与工艺》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集成电路芯片的发展与制造 1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋 转的荷负电的电子组成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用 的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键； 2、真空管（电子管）： a.真空管问世于 1883 年 Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903 年英格兰的 J.A.Fleming 发现了真 空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极； b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906 年美国发明家 Lee DeForest 在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更 多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能； c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容 易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使 用中退出； 3、半导体理论： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、 磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）； b.二极管（一个 p-n 结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止； c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的 p-n 结组合成一个器件，导致了之！
上传时间： 2022-02-06
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摘要：以N沟道増强型场效应管为核心，基于H桥PWM控制原理，设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路，满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。关键词：N沟道增强型场效应管；H桥；PWM控制；电荷泵；功率放大；直流电机1引言长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域，高开关频率、全控型第二代电力半导体器件（GTR、GTO、MOSFET.、IGBT等）的发展，以及脉宽调制（PWM直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。为适应小型直流电机的使用需求，各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路，构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是，专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用N沟道増强型场效应管构建H桥，实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能够满足各种类型直流电机需求，并具有快速、精确、高效、低功耗等特点，可直接与微处理器接口，可应用PWM技术实现直流电机调速控制。2直流电机驱动控制电路总体结构直流电机驱动控制电路分为光电隔离电路、电机驱动逻辑电路、驱动信号放大电路、电荷泵路、H桥功率驱动电路等四部分，其电路框图如图1所示。由图可以看出，电机驱动控制电路的外围接口简单。其主要控制信号有电机运转方向信号Dir电机调速信号PWM及电机制动信号 Brake，vcc为驱动逻辑电路部分提供电源，Vm为电机电源电压，M+、M-为直流电机接口。
上传时间： 2022-04-10
上传用户：jiabin
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-22
上传用户：XuVshu
怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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从射频器件半导体的属性和模型入手的一本经典书籍，即使不做射频 芯片设计，从事射频电路设计的工程师如果能从半导体器件和模型深入研究一下半导体的属性，对于自己深入理解放大器也是大有好处的。
上传时间： 2022-07-17
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DRV832X系列设备是集成门三相应用的驱动程序。设备提供三个半桥门驱动程序，每个驱动程序驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV832X生成正确的门驱动电压使用集成电荷泵高压侧场效应晶体管和线性调节器低侧场效应晶体管。智能门驱动架构支持多达1-A源和2-A汇峰门驱动电流能力。DRV832X可以操作单电源供电，支持宽输入门驱动器的电源范围为6至60-V，4至60-V用于可选降压调节器。
标签： drv8320
上传时间： 2022-07-26
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本书为普通高等教育“十五”国家级规划教材。前版荣获2002年全国普通高等学校优秀教材一等奖。其特点如下：1.加强了信号与电子系统的基本知识；2.对每一问题的讲述，先以概念引路，然后逐步展开分析与讨论，例如器件的建模，由物理概念讲述其参数，从而得出电路模型；3.坚持以集成电路为主线，加强CMOS器件等新内容；4.加强SPICE程序对电子电路的仿真分析与设计。 内容包括：绪论、运算放大器、二极管及其基本电路、双极结型三极管及放大电路基础、场效应管放大电路、模拟集成电路、反馈放大电路、功率放大电路、信号处理与信号产生电路、直流稳压电源、电子电路的计算机辅助分析与设计。 本书可作为高等学校电气信息类（含电气类、电子类）等专业的“模拟电子技术基础”课程的教材。
上传时间： 2013-06-07
上传用户：康郎
本书是 Marc Thompson 博士 20 年模拟电路设计和教学经验的总结，讲述了模拟电路与系统设计中常用的直观分析方法。本书提出了“模拟电路直观方法学”，力图帮助学生和设计人员摆脱复杂的理论推导与计算，充分利用直观知识来应对模拟电路工程设计挑战。全书共分为 16 章，内容涵盖了二极管、晶体管、放大器、滤波器、反馈系统等模拟电路的基本知识与设计方法。本书大纲第 1 章与第 2 章为介绍性材料。第 1 章是本书的引言，同时介绍了模拟电路设计的发展动机，其中引用了一些精选的历史事件。第 2 章讲述后续章节中用到地重要的信号处理概念，以使读者们能够跟上作者的思路。第 3 章至第 8 章讲述双极性器件的物理学原理、双极性结型晶体管 (bipolar junction transistor, BJT) 、晶体管放大器，以及用于带宽估计与开关速度分析的近似技术。第 9 章讲述 CMOS 管和 CMOS 管放大器的基础知识。前面章节介绍的用于放大器设计的带宽估计技术也同样适用于 CMOS 管器件。第 10 章讲述 晶体管的开关效应。晶体管是如何实现导通和关闭呢？又如何估计它的开关速度呢？第 11 章回顾反馈系统 (feedback system) 的基本知识以及设计稳定反馈系统的伯德图 / 相位裕度方法 (Bod plot / phase margin) 。第 12 章和第 13 章讲述实际运算放大器的设计、使用和限制，包括电压反馈 (voltage-feedback) 以及电流反馈 (current-feedback) 放大器。第 14 章讲述模拟低通滤波器设计的基本知识，包括巴特沃思 (Butterworth) 、切比雪夫 (Chebyshev) 、椭圆 (elliptic) 以及贝塞尔 (Bessel) 滤波器的无源梯形实现和胡源实现。第 15 章讲述实际电路设计问题，比如 PCB 版图设计规则、无源器件的使用和限制等。第 16 章是一些有用的设计技术和设计技巧的大杂烩，这些内容又不适合放在其他章节，所以作为独立的章节进行讲述。一些说明性的分析问题以及 MATLAB 和 SPICE 设计示例点缀在全书的字里行间，以帮助读者理解本书的内容。
标签： 模拟电路
上传时间： 2022-02-14
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