AO3403 P沟道增强型场效应晶体管
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功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使 其应用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET 驱动器的功耗及MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配;设计了基于IR2130 驱动模块的 MOSFET 驱动保护电路。该电...
PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料(电子胶水)工作,为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术,自学了《电子封装材料 与工艺》,貌似一本不错的教材,在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中,有兴趣的朋友可以前去查...
摘要:以N沟道増强型场效应管为核心,基于H桥PWM控制原理,设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路,满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。关键词:N沟道增强型场效应管;H桥;PWM控制;电荷泵;功率放大;直流电机1引言长期以来,直流电机以其良好的...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和...