纳米TiO2
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查看全部 500 份 →MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制
设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、...
2022-04-02
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TE 0.6毫米中心距高速CHAMP扩展坞系列连接器
The docking connector series is designed for high density,low profile(3.8mm)shielded applications featuring two rows of ...
2023-05-15
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自旋电子学基础 [米文博,王晓姹 编] 2013年版.part3
该文档为自旋电子学基础 [米文博,王晓姹 编] 2013年版.part3,资源较大,分为三个部分,下载完即可打开:part1:http://dl.21ic.com/download/2013-267570.html part2:h...
2022-09-12
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自旋电子学基础 [米文博,王晓姹 编] 2013年版.part2
该文档为自旋电子学基础 [米文博,王晓姹 编] 2013年版.part2,资源较大,分为三个部分,下载完即可打开:part1:http://dl.21ic.com/download/2013-267570.html part2:h...
2022-09-12
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