差压式流量计的测量原理是基于流体的机械能相互转换的原理。在水平管道中流动的流体,具有动压能和静压能(位能相等),在一定条件下,这两种形式的能量可以相互转换,但能量总和不变。
上传时间: 2013-11-10
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能实现VCO 功能的电路很多,常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器,积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点,下面做简要分析,并选择最合适的方案。
上传时间: 2013-11-06
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AD9850信号发生器模块测试程序
上传时间: 2013-11-02
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要想获得最低的失调和漂移性能,斩波稳定(自稳零)放大器可能是唯一的解决方案。最好的双极性放大器的失调电压为25 V,漂移为0.1 V/ºC。斩波放大器尽管存在一些不利影响,但可提供低于5 V的失调电压,而且不会出现明显的失调漂移,
上传时间: 2013-12-25
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由于电子技术的飞速发展,促使了印制电路技术的不断发展。PCB板经由单面-双面一多层发展,并且多层板的比重在逐年增加。多层板表现在向高*精*密*细*大和小二个极端发展。而多层板制造的一个重要工序就是层压,层压品质的控制在多层板制造中显得愈来愈重要。因此要保证多层板层压品质,需要对多层板层压工艺有一个比较好的了解.为此本人就多年的层压实践,对如何提高多层板层压品质在工艺技术上作如下总结:
上传时间: 2013-10-19
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第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲(Unbuffered)内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器(Registered)的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源,参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨,本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR,它们都被称为同步动态内存,其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进,所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate,也就是双倍的数据传输率,但是其时钟频率没有增加,只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间: 2014-01-13
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设计了一种数字跟踪式复合结构的压电陶瓷驱动电源。采用数字式自适应信号源,驱动高精度运放OP07和高压大电流运放PA04组成复合式放大器,通过合理的相位补偿、保护电路设计和散热计算,实现高精度低漂移的压电陶瓷驱动。
上传时间: 2013-10-19
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计一种基于Howland电流源电路的精密压控电流源,论述了该精密压控电流源的原理。该电路以V/I转换电路作为核心,Howland电流源做为误差补偿电路,进一步提高了电流源的精度,使绝对误差仿真值达到nA级,实际电路测量值绝对误差达到?滋A级,得到高精度的压控电流源。仿真和实验测试均证明该方案是可行的。
上传时间: 2014-12-24
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介绍了由两个DC/DC开关电源模块并联构成的供电系统电路结构和工作原理。该系统采用ARM芯片STM32为主控芯片产生驱动功率开关器件MOSFET的PWM脉冲[1],对供电系统的输出电压和各个模块的输出电流均实现了全数字闭环PI控制。系统输出电压稳定,能实现两个模块电流的比例分配,同时具有输出负载短路及延时恢复功能。仿真和实验结果验证了控制技术的正确性和可行性。
上传时间: 2013-11-20
上传用户:小码农lz
正负电压输出模块
上传时间: 2013-12-17
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