程序大小
共 52 篇文章
程序大小 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 52 篇文章，持续更新中。
CAD完整安装包
完整永久CAd安装包，
<p style="margin-top:0px;margin-bottom:0px;padding:0px;color:#666666;font-family:微软雅黑, 宋体, arial;font-size:14px;line-height:24px;white-space:normal;background-color:#FFFFFF;">
AutoCAD2012
机器人运动学的旋量表述
用李群知识和旋量理论描述了串联机器人的刚体运动，建立了机器人运动学关系的算法，并利用软件Mathematiea进行了算法的实现；选取了具有代表性的串联机器人进行了运动学关系的分析，对算法和程序进行了验证；最后将运动学关系式的旋量指数积方法与传统的D-H参数方法进行了比较分析，从运动学参数的几何描述以及运动学关系式对后期分析的影响2个方面分别阐述了旋量指数<br />
积描述方法的优势。<br />
VI电子称程序下载
资料介绍说明：<br />
1.本程序只在Windows XP 平台上经过完整测试，因此只能保证该程序在winXP系统下运行正确。<br />
2.由于本程序使用了Access数据库，因此需要计算机安装有Microsoft Access。<br />
3.将本程序下载到本地计算机后，需要建立与用户信息.mdb的ODBC链接。建立方法如下： 进入开始菜单 控制面板 管理工具 数据源(ODBC),建立
完整版AD9854资料
淘宝买的 完整版 波形程序 外围接口芯片连接 等
AD转换TLC2543的C小程序
12位ADTLC1543程序，很有用
基于MDK RTX 的COrtex-M3 多任务应用设计
基于MDK RTX 的COrtex—M3 多任务应用设计<br />
武汉理工大学 方安平 武永谊<br />
摘要：本文描述了如何在Cortex—M3 上使用MDK RL—RTX 的方法，并给出了一个简单的多任务应用设计。<br />
关键词：MDK RTX，Cortex，嵌入式，ARM， STM32F103VB<br />
1 MDK RL—RT
反激变换器的变压器学习
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对反激变压器漏感的一些认识_漏感与气隙的大小关系不大。耦合系数随着气隙的增大而下降。气隙增大会引起效率降低是因为Ipk的增大，漏感能量增大。气隙增大会引起绕组损耗增大是因为气隙扩散损耗的增大。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111230151011N7.jpg" style="width: 17
PCF8591的AD和DA程序
PCF8591AD和DA驱动程序
一种面向瞬时故障的容错技术的形式化方法
<span id="LbZY">软件发生瞬时故障时，可能会导致处理器状态改变，致使程序执行出现数据错误或者控制流错误。目前已有许多软件、硬件以及混合的解决方案，主要的方法是重复计算和检查副本的一致性。但是，生成正确的容错代码十分困难，而且几乎没有关于证明这些技术的正确性的研究。类型化汇编语言（TAL）是一种标准的程序安全性证明的方式。本文概述了一种面向瞬时故障的软硬结合的容错方法，以及对该方法的形
MSP430ADC采样12864显示
自己整理的MSP430程序，已经调试通过，注释清晰模块化很强。16位AD采样，12864字符数字显示，欢迎下载，如有改进意见希望回馈。谢谢!
智能仪表中调节参数的数字化方法及其应用
本文主要介绍对智能仪表中调节参数的一种新方法。米取了通用的徽调 电位器的硬件电路和经过数字化处理的软件方法, 使参数的调节及修正既方便又能 长期保存。文中给出了有关的数学推导、硬件电路及软件程序。
多种温度传感器信号调理电路设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">为了测量某试件多点温度，且温度跨度很大，还要达到要求精度，本文利用几种不同类型的传感器（AD590、PT1000和K型热电偶）进行采集，其输出形式（电流源
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
电子学名词介绍
电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。<BR>2、 电阻的温
K60的AD采集程序
K60的AD采集程序
PID温度控制的PLC程序设计
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PID由于用途广泛、使用灵活，已有系列化产品，使用中只需设定三个参数(Kp， Ti和Td)即可。在很多情况下，并不一定需要全部三个单元，可以取其中的一到两个单元，但比例控制单元是必不可少的。</p>
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三菱plc工程实例(新手学习附带程序)
三菱plc工程实例(新手学习附带程序)。
整流滤波电容的设计与选用方法研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路，其中滤波电容的设计选取，直接影响到纹波电压的大小，关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下，依据整流滤波
ADC0809做AD转换的C程序
ADC0809做AD转换的C程序
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区