积层陶瓷电容器
共 24 篇文章
积层陶瓷电容器 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 24 篇文章，持续更新中。
机器人运动学的旋量表述
用李群知识和旋量理论描述了串联机器人的刚体运动，建立了机器人运动学关系的算法，并利用软件Mathematiea进行了算法的实现；选取了具有代表性的串联机器人进行了运动学关系的分析，对算法和程序进行了验证；最后将运动学关系式的旋量指数积方法与传统的D-H参数方法进行了比较分析，从运动学参数的几何描述以及运动学关系式对后期分析的影响2个方面分别阐述了旋量指数<br />
积描述方法的优势。<br />
什么是超电解电容器
什么是超级电容器? <BR><BR>◆ 超级电容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 <BR><BR>◆ 超级电容器可以被
x电容和y电容介绍
X电容是指跨于L-N之间的电容器， Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).
建立一个双视频放大器的高增益带宽积运算放大器
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Abstract: Build a composite amplifier featuring high gain, wide bandwidth, good DC accuracy and low distortion
4-20mA，0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2k&o
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：<br />
对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，R
SIMATIC逻辑堆栈指令
9.16 SIMATIC 逻辑堆栈指令<BR>栈装载与 (ALD)<BR>ALD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑与操作结<BR>果放入栈顶执行完 ALD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>栈装载或 (OLD)<BR>OLD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑或操作<BR>结果放入栈顶执行完 OLD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>逻辑推入栈<BR>LPS
ADC需要考虑的交调失真因素
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交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数，但当将其用于ADC时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义，然后指出将IP2和IP3的定义应用于A
铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧
<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧<p></p></FONT></P>
<P class=MsoNormal style="MARGIN
开关稳压器电路的效率特性分析
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开关稳压器使用输出级，重复切换“开”和“关”状态，与能量存贮部件（电容器和感应器）一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231152A1N8.jpg" /></p>
电子工程师必备基础知识手册（七）常用元器件的识别
<P>一、电阻</P>
<P>电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。</P>
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
电容器专题讲座
电容器专题讲座(一，常用电容器分类）(二，电容器的电气特性）(三，陶瓷电容器）(四，铝电解电容器）(五，固体钽电容器）
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
无功功率自动补偿控制器
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持
ADC中精确度与分辨率认识
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ADC制造商在数据手册中定义ADC性能的方式令人困惑，并且可能会在应用开发中导致错误的推断。最大的困惑也许就是“分辨率”和“精确度”了——即Resolution和Accuracy，这是两个不同的参数，却经常被混用，但事实上，分辨率并不能代表精确度，反之亦然。本文提出并解释了ADC&
飞行模拟器可扩展数字量输出系统的设计与实现
<span id="LbZY">控制某型飞机模拟座舱中的Led、继电器、小电流元件，满足易于扩充规模的工程需求，采用充分利用元器件特性的方法，使用一种可扩展数字量输出系统建立开出通道，在电路层预留扩充接口，实现座舱灯光信号、电路状态切换、外部设备数控的功能。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1306251G941
MT-012 ADC需要考虑的交调失真因素
交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用 指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算 不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数，但当将其用于ADC 时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义，然后指出将 IP2和IP3的定义应用于ADC时必须采取的一些预防措施。