锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究
采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器
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资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【0】工艺质量(可靠性、电磁兼容、抗干扰、WDT、品管)->压电薄膜的制备、结构与应用 167页 3.2M.pdf
介绍了8086全硅计算机的体系架构,设计了8086全硅计算机与SD卡连接的硬件接口,并使用软件和硬件相结合的调试方法,可快速调试验证SD卡的功能.通过FPGA的验证,SD卡作为8086全硅计算机的硬盘,可以简化设计过程、缩短设计周期.
石英具有非凡的机械和压电特性, 使得从19 世纪40 年代中期以来一直作为基本的时钟器件. 尽管在陶瓷, 硅晶和RLC电路方面有60 多年的研究, 在此之前没有哪种材料或技术能替代石英振荡器, 鉴于其异常的温度稳定性和相位噪声特性. 估计2...
专为SiC功率模块设计的Avago门极驱动光耦,具备高隔离电压与快速响应特性,适用于工业电机控制与新能源系统。工程师可借此提升系统稳定性和效率,是SiC器件应用的关键组件。