硅晶圆
硅晶圆:晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制成长硅晶棒,成为制造积体电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
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变温磷吸杂对多晶硅性能的影响
用微波光电导衰减仪(μ2PCD) 研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现: 变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅; 其优化的变温磷吸杂工艺为10
2024-04-01
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晶体硅太阳电池组件检测 2页 0.2M.pdf
资料->【B】电子技术->【B4】电子专题->【1】电池充电->【电池】->太阳能电池->晶体硅太阳电池组件检测 2页 0.2M.pdf
2024-09-08
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NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(c...
2013-11-21
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高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究
为了保证在高温条件下,正确使用高频硅PNP晶体管3CG120,文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170~340 ℃温度范围内序进应力加速寿命试验,发现在170~240 ℃,240~...
2013-10-15
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一种新型单晶硅SO I高温压力传感器
单晶硅SO I 高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度, 与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的SO I 结构。本
2023-11-14
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单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发环境下利用./0123 技术,
2024-01-26
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