硅基GaN技术资料下载专区，收录500份相关技术文档、开发源码、电路图纸等优质工程师资源，全部免费下载。
一个脉冲电源orcad设计原理图原始文件，输入12-16V，输出1200v脉冲，可调整脉冲频率。纯属研究使用，不得用于其它非法途径！
单晶硅SO I 高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度, 与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的SO I 结构。本
硅ESD(SESD)保护器件可以防止电路因静电放电(ESD)事件而受 损。0201规格SESD器件的尺寸极小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm)， 比上一代器件的面积小了近70%，在空间受到限制的应用中为设计人 员提供了极大...
SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业...
介绍了一种利用MCS-51系列单片机控制的控制角可调整的三相全控桥可控硅整流触发器.采用锁相环技术实现触发脉冲与电源信号的同步,提高了触发器的抗干扰能力,改善了三相触发脉冲的对称性.由软件控制可产生不同控制角的6组触发脉冲,且电路易于实现,...
利用硅烷法将ssDNA 固化T方向切割、3. 58MHz 和10MHz 石英晶体金电极上,构建了压电DNA传感器,建立了快速检测葡萄球菌肠毒素B(SEB) 基因的方法。优化了固定SEB 基因的条件,并
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点，以晶格内部原子键密度为主要因素，温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子，建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发环境下利用./0123 技术，