硅半导体
共 21 篇文章
硅半导体 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 21 篇文章，持续更新中。
模电应知应会200问
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1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点?<br />
答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。<br />
2、什么是本征半导体和杂质半导体？<br />
答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低
用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制
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氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
BTB06-800C（双晶硅）
双晶硅
全球著名半导体厂家介绍
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德州仪器（Texas Instruments），简称TI，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.co
模拟电路教程
我也是下别人的，内容涵盖了许多模拟电路的基本知识，如半导体，场效应管，集成运算放大器，低频功率放大电路，等等，很不错的
时钟分相技术应用
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摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br />
关键词: 时钟分相技术; 应用<br />
中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br />
时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br />
性能。尤其现代电子系统对性
模块时代之ADI实验室电路
“半导体厂商越来越倾向于提供一揽子的解决方案，用以帮助客户以最快的速度和最低的研发成本推出新产品，一个典型的例子就是“山寨手机”，但手机毕竟是高度集成的数字化产品，那么模拟电路的应用是否也可以走同样的路呢？看来已经有厂家在这么做了，ADI实验室电路的推出就是解决模拟电路/模拟－数字混合电路应用的一揽子解决方案。”
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
世界最新晶体管代换手册
<P>世界最新晶体管代换手册</P>
<P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P>
<P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶
第02讲 半导体基础知识
模电
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
集成化图像控制引擎的研究与实现
随着半导体技术以及计算机软硬件技术的飞速发展，对于图像的显示和控制技术也呈现出越来越多的方式。文中介绍了一种基于NIOS II软核处理器实现对SD卡驱动与TFT-LCD控制的方法。在设计中利用FPGA的Altera的SOPC Builder定制NIOS II软核处理器及其与显示功能相关的模块来协同从SD卡读取JPEG格式的图片，经过FPGA解码处理显示于TFL-LCD上，并使用触摸控制实现图片的前
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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意法半导体运放稳定性
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Who has never experienced oscillations issues when using an operational amplifier? Opampsare often used in a simple voltage follower configuration. However, this is not the best
256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)
采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
第1章 常用半导体器件
常用半导体的组成与结构
第03讲 半导体二极管
模电
MEMS器件气密封装工艺规范
MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.