最新电子元器件产品大全 (第三册) 真空电子器件与显示器件.pdf
标签： 电子元器件
上传时间： 2022-01-07
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真空手册.pdf真空手册.pdf真空手册.pdf
标签： 真空技术
上传时间： 2022-01-07
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电真空材料手册 第二册.pdf电真空材料手册 第二册.pdf
标签： 电真空材料
上传时间： 2022-01-08
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真空技术实用指南.pdf真空技术实用指南.pdf
标签： 真空技术
上传时间： 2022-01-09
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实用真空技术.pdf实用真空技术.pdf实用真空技术.pdf
标签： 真空技术
上传时间： 2022-01-09
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电子工业生产技术手册 (第五卷) 电真空器件卷.pdf
上传时间： 2022-01-09
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电子工业生产技术手册 (第四卷) 电真空器件卷
标签： 电子工业生产
上传时间： 2022-01-09
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随着社会生产的发展和人民生活水平的提高，对供电质量的要求也越来越高，电压是标志电能质量的一个基本技术指标，它与无功功率密切相关。本文阐述了电压无功综合控制对于电力系统运行及工农业生产的重大意义；综述了国内外在这一领域中的研究所取得的成果、面临的问题和发展的前景。针对目前我国应用最为广泛、性能价格比最佳的并联电容与有载调压变压器综合控制装置的研制开发中所涉及的问题进行了较全面的分析与研究，提出了一种符合当前变电站综合自动化发展需要的可靠性高、组态灵活、功能齐全的变电站电压无功综合控制方案。该方案主控单元选用抗干扰能力强、指令丰富、扩展灵活、通讯联网能力强的西门子S7-226PLC作为控制核心；参数检测单元选用可靠性高、具有通讯功能的智能型综合电量变送器；控制主机通过与参数检测单元通讯获得所需参数，同时还可与上位机或其他具有串口的设备通讯。采用的电压无功控制策略，从系统的实际需要出发，充分考虑了影响电压无功控制效果的主要因素，控制决策以实时计算数据为参考，控制精度高，并有效避免了无效调节对设备及系统造成的危害；控制软件根据已经确定的控制算法做出控制决策并能够完成系统运行方式的自动识别、电容器的循环投切，电容器及分接头的保护及通讯等功能。文中还阐述了电容器接线形式选择、串联电抗及高压真空开关的选择依据以及变压器调档控制原理。 理论分析和仿真计算均证明了本文中所提出的控制策略的精确性和严密性；试验证明了该设计方案先进、灵活、可靠、功能齐全，符合电力系统自动化对控制装置的要求。
上传时间： 2013-05-31
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有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
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随着微处理器的发展，现代数字仪表发展迅速，功能不断增强。目前，数字仪表正朝着集成化、智能化、高精度、微功耗、高可靠性发展。人们对数字仪表的设计和性能指标也提出了更高的要求，ARM相对于单片机具有更强的处理能力和更好的处理效果，为高精度、智能化仪表的设计提供了一种新的途径。 论文首先介绍了国内外数字仪表的发展情况，并对常见的数字仪表进行了分类，分析了影响数字仪表性能的主要因素。综合数字仪表的性能特点并考虑实现成本，论文提出了一种基于ARM的五位半分辨率数字仪表设计方案，并详细介绍了仪表的总体设计思路、硬件电路设计、软件设计及数据处理方法。该设计采用LPC2148芯片为处理核心，使用VFD（真空荧光显示器）作为仪表人机界面，界面友好且无视角误差；考虑到在某些现场条件恶劣的情况下也能对数字仪表读数进行观测，采用LabVIEW7.1设计了上位机显示界面；构建了一个基于LPC2148的开发平台，基于平台设计了一款具有五位半分辨率的数字仪表，实现了电压、电流、电阻等测量功能，同时设计了温度读取、实时时钟计时、SD卡数据存储等功能，为仪表的智能化设计奠定了基础。 通过对该数字仪表运行情况进行记录，并对记录的大量数据进行分析，结果表明：所设计的数字仪表能稳定显示，其精度和显示分辨率均达到五位半精度的要求。
上传时间： 2013-07-19
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