设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种片上变压器的设计方法,即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式,解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2~3 GHz频段内的损耗小于1.35 dB,其功率合成效率高达76 以上,适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间: 2014-12-24
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现在常用的软启动器主要有三种:电子式、磁控式和自动液体电阻式。 电子式以晶闸管调压式为多数。变频器在某种意义上也是一种软启动器,而且是能够真正地实现软启动的启动器,但设备较贵,为降低水电站单位千瓦造价,目前很少采用。
上传时间: 2013-10-23
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在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
上传时间: 2013-10-18
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基于直流屏的电源监控系统的各模块功能划分与采样通道多等特点,设计了以MSP430单片机为控制核心,CPLD扩展端口的控制系统。比较分析了几种直流系统常用的绝缘检测方法,采用乒乓式变电桥测量法,实现了接地电阻的准确在线测量。现场运行表明,控制系统具有测量精度高、测量快速、可靠性高以及成本低等优点。
上传时间: 2014-01-04
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M8电源:如果想扩流使用,需要多个功率管并联,必须加均流电阻。并且同时要增加主滤波和泄放电阻。功率管多需要增加一级推动管。 液晶的连接图。【注意1脚位置】 液晶的背光接法:从液晶背后标记A和K的位置引出背光电源,接到M8V4电源板上标记LED的位置。注意有正负,反了背光不亮。 首次通电,需要调整液晶对比度才能显示,调整M8V4电源板上的5K可调。让显示清晰即可。
标签: 电源
上传时间: 2013-11-02
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DM11C 是专为LED 显示应用所设计的沈入电流式恒流驱动芯片。内建移位缓存器,数据锁存器,以及恒流电路组件于硅CMOS 芯片上。8 个输出通道的电流可由一外挂电阻调整。内建开/短路侦测电路组件帮助使用者侦测LED 异常(开路与短路)。系统可藉由读回串行输出端的侦测数据与原始数据进行比对以判定哪一通道发生异常。过温断电功能则可保护芯片避免在高温环境使用下而毁损
上传时间: 2013-11-09
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电阻电压降的空气击穿强度为 500KV/m 已是共识,然而笔者在研制“低压电源避雷绝缘子”专利产品过程中,发现小间隙的电阻电压降的空气击穿强度大大高于此值,于是就对空气微小间隙放电的伏距特性进行了测试研究。发现了空气间隙放电的伏距特性随着间隙的增大由非线性变化区段发展到线性变化区段的规律。500KV/m 只是间隙无限增大时空气击穿强度无限趋近的最低值,与小间隙的空气击穿强度严重不符。
上传时间: 2013-10-20
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Traditionally, an Electronic Circuit Breaker (ECB) comprisesa MOSFET, a MOSFET controller and a current senseresistor. The LTC®4213 does away with the sense resistorby using the RDS(ON) of the external MOSFET. The resultis a simple, small solution that offers a signifi cant lowinsertion loss advantage at low operating load voltage.The LTC4213 features two circuit breaking responses tovarying overload conditions with three selectable tripthresholds and a high side drive for an external N-channelMOSFET switch.
上传时间: 2014-03-02
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In general, a Hot Swap controller provides two importantfunctions to boards that can be plugged and unpluggedfrom a live backplane:
上传时间: 2013-10-23
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使用二进制集成电路CD4040可制作电子电位器。CD4040集成电路各脚功能。电位可有4096挡次,如电压在4.096V,每伏有1000个1mV变化进位挡,每进1位上升1mV,电路二进制位0~11位以高位电阻最小。如第11位50kΩ、第10位100kΩ、第9位200kΩ、第8位400kΩ、第7位800kΩ、第6位1.6MΩ、第5位3.2MΩ、第4位6.4MΩ、第3位12.8MΩ、第2位25.6MΩ、第1位51.2MΩ、第0位102.4MΩ,向下按每退1位、阻值加1倍顺序排列。如排错,或电阻不是倍数,电位的上升值会不均匀,进到某数值便突然跳变。
上传时间: 2013-10-19
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