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电源抑制比 的查询结果
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电源技术 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
电源技术 高电源抑制比带隙基准电路设计
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
电源技术 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...
电源技术 一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准 ...
技术资料 一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计
一种无运放的高电源抑制比基准电压源设计
模拟电子 高共模抑制比仪用放大电路方案
本文针对传统仪用放大电路的特点，介绍了一种高共模抑制比仪用放大电路，引入共模负反馈，大大提高了通用仪表放大器的共模抑制能力。
matlab例程 把I、Q 两路信号分别作FFT ,找出频域内信号的幅度,即可算得两路分量的幅度一 ％致性 把I、Q两路信号合成一个复数信号,作FFT ,对得到的频谱求镜像抑制比。
把I、Q 两路信号分别作FFT ,找出频域内信号的幅度,即可算得两路分量的幅度一
％致性 把I、Q两路信号合成一个复数信号,作FFT ,对得到的频谱求镜像抑制比。
其他嵌入式/单片机内容 运算放大器共模失调测试仿真程序,以op1177ar系列为例。可以测试出共模抑制比
运算放大器共模失调测试仿真程序,以op1177ar系列为例。可以测试出共模抑制比
技术资料 LDO线性稳压电源管理芯片设计
论文首先论述了线性稳压电源的基本原理，以此为基础对系统设计进行整体考虑，构建了系统整体架构，并制定了芯片的设计指标。利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论，根据系统稳定性原理，采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠根据设计指标，论文详细设计了芯片内部电路模块，包括：带隙基准电压源、误差放大器 ...
学术论文 MEMS传感器弱信号检测电路及集成设计.rar
高精度惯性加速度计能够实现实时位移检测，在当今民用和军用系统如汽车电子、工业控制、消费电子、卫星火箭和导弹等中间具有广泛的需求。在高精度惯性加速度计中，特别需要稳定的低噪声高灵敏度接口电路。事实上，随着传感器性能的不断提高，接口电路将成为限制整个系统的主要因素。 本论文在分析差动电容式传感器工作原理 ...