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电源完整性分析

  • 逆变器IGBT损坏原因分析及处理

    1前言莱钢型钢厂大型生产线传动系统采用西门子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交电压型变频器供电,变频器采用公共直流母线式结构;冷床传输链采用4台电机单独传动,每台电机分别由独立的逆变单元控制,逆变单元的控制方式为无速度编码器的矢量控制,相互之间依靠速度给定的同时性保持同步。自2005年投入生产以来,冷床传输链运行较为稳定,但2007年2月以后,冷床传输链逆变单元频繁出现绝缘栅双极型晶体管(Insolated Gate Bipolar Transistor,IGBT)损坏现象,具体故障情况统计见表1由表1可知,冷床传输链4台逆变器都出现过IGBT损坏的现象,故障代码是F025和F0272原因分析1)IGBT损坏一般是由于输出短路或接地等外部原因造成。但从实际情况上看,检查输出电缆及电机等外部条件没有问题,并且更换新的IGBT后,系统可以立即正常运行,从而排除了输出短路或接地等外部条件造成IGBT损坏。2)IGBT存在过压。该系统采用公共直流母线控制方式,制动电阻直接挂接于直流母线上,当逆变单元的反馈能量使直流母线电压超过DC 715 V时,制动单元动作,进行能耗制动;此外挂接于该直流母线上的其他逆变单元并没有出现IGBT损坏的现象,因此不是由于制动反馈过压造成IGBT烧坏。3)由于负荷分配不均造成出力大的IGBT损坏。从实际运行波形上看,负荷分配相对较为均匀,相互差别仅为2%左右,应该不会造成IGBT损坏。此外,4只逆变单元都出现了IGBT损坏现象,如果是由于负荷分配不均造成,应该出力大的逆变单元IGBT总是烧坏,因此排除由于负荷分配不均造成IGBT损坏。4)逆变单元容量选择不合适,装置容量偏小造成长期过流运行,从而导致IGBT烧毁。逆变单元型号及电机参数:额定功率90kw,额定电流186A,负载电流169 A,短时电流254 A,中间同路额定电流221 A,电源电流205 A,电机功率110kw,电机额定电流205 A,电机正常运行时的电流及转矩波形如图1所示。

    标签: 逆变器 igbt

    上传时间: 2022-06-22

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  • 升压型电源管理电路的内部LDO设计

    本论文所涉及的电源管理方案来源于与台湾某上市公司的横向合作项目,在电源管理产品朝着低功耗、高效率和智能化方向发展的形势下,论文采用了一种开关电源与低压降(LDO)线性电压调节器结合应用的集成方案,即将LDO作为升压型电源管理芯片的内部供电模块。按照方案的要求,本文设计了一种含缓冲级的低压降线性电压调节器。设计采用0.6um 30V BCD工艺,实现LDO的输入电压范围为6-13V:满足在-25-85℃的工作温度范围内,输出电压为5V:在典型负载电流(12.5mA)下,LDO的压降电压为120mv.文章首先阐述了整个方案的工作原理,给出LDO设计的指标要求;其次,依据系统方案的指标要求和制造工艺约束,实现包含误差放大器、基准源和保护电路等子模块在内的电压调整器:此外,文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载”的问题:最后,给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以及基准源的设计是本文的核心内容。在LDO架构设计部分,文章基于对三种不同LDO拓扑的分析,选择并实现了含缓冲器级的LDO.设计中通过改进反馈网络,采用反馈电容,实现对LDO的环路补偿。同时,为提高误差放大器驱动功率管的能力、适应LDO低功耗发展的需求,文章探讨了如何使用放大器驱动大负载电容的问题。基于密勒定理和根轨迹原理,本文通过研究密勒电容的作用,采用MPC(Miller-Path-Compensation)结构,实践了两级放大器驱动大负载电容的方案,并把MPC补偿技术推广到三级放大器的设计中。

    标签: 电源管理 ldo

    上传时间: 2022-06-22

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  • 升压型电源管理电路内部ldo设计

    文章首先阐述了整个方案的工作原理,给出LDO设计的指标要求;其次,依据系统方案的指标要求和制造1艺约束,实现包含误差放大器、基准源和保护电路等了模块在内的电压调整器:此外,文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载"的问题;最后,给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以及基准源的设计是本文的核心内容。在LDO架构设计部分,文章基于对三种不同LDO拓扑的分析,选择并实现了含缓冲器级的LDO./设计中通过改进反馈网络,采用反馈电容,实现对LDO的环路补偿。同时,为提高误差放大器驱动功率管的能力、适应LDO低功耗发展的需求,文章探讨了如何使用放大器驱动大负载电容的问题,基于密勒定理和根轨迹原理,本文通过研究密勒电容的作用,采用MPC(Miller-Path-Compersation)结构,实践了两级放大器驱动大负载电容的方案,并把MPC补偿技术推广到三级放大器的设计中。文章设计的CRF(CRF:Current Re ference controlled by Feedback)电流基准是基于对传统自启动基准电流源的改进实现的。CRF基准电流源架构中存在一条阻性的电流道路,确保其在加载电源电压的过程中能够实现快速启动,响应速度达到1ps:而传统自启动基准电流源在相同的设计参数下,响应速度长达120us.CRF基准电流源突破了响应速度对其应用的限制。

    标签: 电源管理 LDO

    上传时间: 2022-06-23

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  • 应用于降压型开关电源的ldo设计与分析

    2009年上半年统计中,计算机类、消费类、网络通信类三大领域仍然占中国电源管理芯片市场近80%的市场份额,其中网络通信类市场最大,其市场份额都超过了30%。开关稳压器和低电压功率MOSFET将在未来五年内快速增长.ISuppli公司预测最强劲的增长将发生在数据处理领域,预计该领域的复合年增长率将达10%,未来五年将推动电源管理增长的市场将包括笔记本电脑(复合年增长18.7%)液晶显示器/等离子(PDP)电视(复合年增长19.8%)、汽车安全与控制(复合年增长13.3%)和移动基础设施设备与家用电器(增长9.5%)对于产品类型的发展,未来电源管理芯片PMU(复合产品)的市场份额将会有所提高,尤其在便携设备中,PMU的发展将会更加快速.PMU与LDO和DC/DC这些单一功能产品不同,它可能同时集成多个LDO,DCIDC和充电管理等功能,在应用中往往相当于一个ASSP(专用标准产品),虽然不能完全解决某类设备的电源管理需求,但是能够满足一些相对通用的电源转换需求,例如手机应用的PMU可能同时处理手机平台下的LCD供电、存储器供电、摄像头供电、基带处理器供电、USB接口以及电池充电管理等问题,这样只需要再加上其它少量电源管理器件就可以解决整个手机的供电问题.LDO和DC/DC产品无疑是应用最大的两类产品,不过对于多数LDO和中低端DCIDC产品来说,由于进入门槛相对较低以及参与竞争厂商众多,未来价格还可能进一步下降".

    标签: 开关电源 ldo

    上传时间: 2022-06-23

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  • LDO线性稳压电源管理芯片设计

    论文首先论述了线性稳压电源的基本原理,以此为基础对系统设计进行整体考虑,构建了系统整体架构,并制定了芯片的设计指标。利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论,根据系统稳定性原理,采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠根据设计指标,论文详细设计了芯片内部电路模块,包括:带隙基准电压源、误差放大器、过热保护、过流保护和使能电路等,通过综合比较晶体管的性能,确定调整管的类型,在基准电生源设计中,采用了电流相加的新型电路结构,使输出基准电压不仅具有良好的温度特性和电源电压抑制特性,而且克服了传统电路结构电压基准源的输出电压不能改变的缺点,提高了模块的可移植性,并充分考虑了低电压低功耗设计;在过热保护电路设计中,采用温度迟滞系统,克服了单温度保护点电路易受温度变化误触动的缺点。借助Cadence Spectre仿真软件完成仿真验证,实验结果表明,该系统在正常工作时,能得到3V稳定的输出电压,压降仪为150mv;在1K时电源抑制比为65.55dB,在10K时电源抑制比为50dB:在温度范围(-30℃-90℃)内系统能保持良好的稳定性,达到了设计要求,并完成了主要电路模块的版图设计与验证。

    标签: ldo 电源管理

    上传时间: 2022-06-23

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  • ICP中RF电源的功率控制的研究

    本论文主要研究自激式RF电源的功率控制,主要分为七个部分:第部分主要介绍ICP仪器的发展历史、RF电源的主流技术路线及国内外研究现状,指出了存在的部分问题,确立了本文研究主题。第二部分简介了ICP仪器的系统结构,重点介绍等离子炬光源以及自激式RF电源。首先从系统的角度介绍了ICP仪器的组成及工作原理,然后对等离子矩光源的产生条件及生成机理作了说明,并且对其在点火过程中表现的负载特性作了分析,最后从ICP仪器的分析性能方面说明了它对RF电源的设计要求,明确RF电源的设计指标。第三部分详细介绍了自激式RF电源的实现原理。按照信号流向首先介绍了作为跟踪等离子矩特性的振荡源——锁相环的原理,分别对其中的鉴相器、环路滤波器、压控振荡器和驱动电路等做了详细介绍。然后介绍了高频功率放大器的原理,确定了主要元件参数,并介绍了适用于自激式RF电源的电路结构。最后对阻抗匹配原理作了介绍,并重点介绍了集中参数元件匹配网络。第四部分详细介绍了本文所做的设计工作,包含软硬件设计。这部分仍然是按信号流向作说明,根据自激式RF电源的结构特点,针对这几部分选择合适的电路结构、元件参数等设计完成锁相环路、高效率E类推挽功率放大电路以及阻抗匹配网络。除此之外,还包括电路中的主要信号采样与检测、热设计、电磁兼容设计以及软件部分的设计说明。第五部分对本文采取的功率控制流程与策略作详细说明,介绍了如何通过改善控制流程和控制策略以提高RF电源性能。第六部分对所设计的RF电源进行了测试,表明本设计达到了预定的设计指标,说明此方法的可行性与实用性,并且分析了等离子炬的负载变化过程,对RF电源的设计提供了有益的参考。第七部分作了全文总结与展望。所设计RF电源成功点燃等离子炬,期间通过对RF电源的测试,并在ICP-AES整机上进行了系统验证,测试证明所设计的自激式RF电源与同类电源相比性能有所提升。

    标签: icp rf 电源 功率控制

    上传时间: 2022-06-23

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  • 升压式PWM开关电源控制芯片研究与设计

    开关电源具有体积小、效率高等特点,广泛应用在工业、商业、民用、军事和航空航天等领域。随着计算机、通讯等信息产业的飞速发展,便携式电子产品的广泛应用,我国开关电源市场的不断增长,开关电源控制芯片的研究已经成为国内功率电子学研究的热点。本论文主要研究了升压式PWM开关电源控制芯片的设计。开关电源变换器是一个由主回路和控制回路构成的闭环系统,所以本文首先分析了变换器CCM和DCM两种模式下主回路的稳态和动态特性,接着分析了整个闭环系统的控制模式和稳定性。在理论分析的基础上,研究了开关电源集成电路的主要模块,包括基准电压,振荡器,运算放大器,PWM比较器,并完成了电路设计。在系统级和电路级的分析和设计的基础上,利用Hspice对主要模块和整个系统进行仿真。仿真结果表明,本论文设计的升压式PWM开关电源控制芯片满足高效率、高精度、低工作电压等设计要求,适合应用在单电池供电的便携式电子产品中。本论文设计的芯片采用0.5umN阱1P2M的CMOS工艺制造。

    标签: pwm 开关电源

    上传时间: 2022-06-25

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  • 自制12v开关电源电路图

    关键字:12v开关电源+12V、0.5A单片开关稳压电源的电路如图所示。其输出功率为6w.当输入交流电压在 110~260V范围内变化时,电压调整率Svs 1%。当负载电流大幅度变化时,负载调整率Si=5%~7%。为简化电路,这里采用了基本反馈方式。接通电源后,220V交流电首先经过桥式整流和C1滤波,得到约+300V的直流高压,再通过高频变压器的初级线圈 N1,给WS157提供所需的工作电压。从次级线圈 N2上输出的脉宽调制功率信号,经 VD7,C4,L和C5进行高频整流滤波,获得 +12V,0.5A的稳压输出。反馈线圈 N3上的电压则通过 VD6,R2、C3整流滤波后,将控制电流加至控制端 C上。由VD5,R1,和C2构成的吸收回路,能有效抑制漏极上的反向峰值电压。该电路的稳压原理分析如下:当由于某种原因致使Uo4时,反馈线圈电压及控制端电流也随之降低,而芯片内部产生的误差电压 Urt时,PWM比较器输出的脉冲占空比 Dt,经过MOSFET和降压式输出电路使得 Uot,最终能维持输出电压不变。反之亦然。如图所示12v开关电源电路图

    标签: 开关电源

    上传时间: 2022-06-26

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  • 精通开关电源设计(英文原版)

    《精通开关电源设计》(图灵程序设计丛书)基于作者多年从事开关电源设计的经验,从分析开关变换器最基本器件:电感的原理入手,由浅入深系统地论述了宽输入电压DC-DC变换器(含离线式正、反激电源)及其磁件设计、MOSFET导通和开关损耗、PCB布线技术、三种主要拓扑电压/电流模式下控制环稳定性以及开关电源电磁干扰(EMI)控制及测量的理论和实践等。书中还解答了变换器拓扑的常见问题,讨论了开关电源及电子镇流器设计的专家意见、工业经验和难点对策等。《精通开关电源设计》不仅可作为各层次开关电源工程人员的教材,也可供开关电源设计人员和高校相关专业师生参考。

    标签: 开关电源

    上传时间: 2022-07-05

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  • 电源设计讲解

    分享一个关于电源设计的课件,内含多种拓扑分析设计,对电源学习者很有帮助

    标签: 电源设计

    上传时间: 2022-07-09

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