一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-4...
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EMI信号经过传导和辐射方式污染电磁环境,对通信设备和电子仪器造成干扰,因而在一定程 度上限制了开关电源的使用。而开关电源中的干扰源主要集中在电压、电流变化大,如开关管、二极管、高频变压器等元件,以及交流输人、整流输出电路部分。本文介绍了抑...
Ever-increasing demands are being placed on instrumentationamplifier (IA) performance. When stan...
微控制器/模拟应用中电源、接地和噪声的管理:除了微控制器,微控制器应用经常包括低电平传感器信号和适当的电源驱动电路,需要小心设计电源和接地。本文将讨论噪声源和噪声的传播路径。我们将涉及良好布局习...
在大多数情况下,输入噪声越小越好;但是在有些情况下,输入噪声实际上对提高分辨率是有帮助的。如果现在你觉得这似乎没有道理,那么请阅读本文以弄明白有些噪声怎样可以是好噪声。...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源...