NJM2626是一款三相直流无刷电机控制预装驱动器。带脉宽调制控制的集成电路。它接受霍尔IC输入并产生电机驱动波形。输出前置驱动器经过优化，可与外部电源MOS配合使用。更好的功率处理晶体管。NJM2626可轻松实现三相直流电机带速度控制功能的应用程序
上传时间： 2022-07-26
上传用户：xsr1983
N76E003实现LED灯带驱动器设计(原理图+PCB+源码)
上传时间： 2022-07-26
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本人费尽千辛万苦绘制的安川伺服驱动器器的原理图，对于研究设计伺服驱动器的工程师具有重要的参考价值。
上传时间： 2022-07-27
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用于驱动器和编码器的 RS-485 收发器原理图
上传时间： 2022-07-27
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该文档为基于MSP430单片机的多功能直流电机驱动器总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
上传时间： 2022-07-28
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记载了松下伺服电机A6系列的电机型号和驱动器规格等资料
上传时间： 2022-07-28
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60W无刷直流 (BLDC) 电机驱动器参考设计
上传时间： 2022-07-29
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VIP专区-嵌入式/单片机编程源码精选合集系列（31）资源包含以下内容：1. 有关protel PCB设计的有关注意事项和经验.2. boot flash的空闲部分作为文件系统（vxworks tffs).3. 3com 3c905网卡驱动硬件部分源码.4. 该源程序已在实验板上调试通过.5. 在嵌入式操作系统uclinux下应用的数据库sqlite.6. 这是一个节目选择菜单源码,根据接受红外遥控键盘来选择节目,并发送给PLAYER..7. 文章描述了TMS320C6000 digital signal processors (DSPs)的CPU结构、管道技术、指令系统..8. 本人搜集的许多C51及KeilC使用方面的文章.9. CfCard开发的人好像不是很多.10. 四路MPEG1视频采集卡.11. 新一代的数字温度芯片 精度高 速度快 适合温度的采集系统的开发.12. 是基于MSP430F449的温度报警的c程序.13. 基于MSPF449的三相电压表功率的开发程序.14. 是MSP430X44X的各部分的子程序模块.15. PC燒錄BIOS的源程序.16. 使用GPIB卡控制数控电源（Agilent66X）测试电流的一个小程序.17. 嵌入式系统中的软件设计技术──C语言程序设计.18. 数字万用表电路图集收集了各类数字万用表的的电路图,结构说明!.19. tcp/ip的嵌入式开发 基于pic微控制器.20. modem 原程序。用于无线模块的开发应用GPRS应用.21. 单片微型计算机原理及接口技术 电子书 pdf 格式.22. 液晶内核C-CodeT6963C控制器的源代码.23. 这是韩国原版X-Hyper250B开发板的原代码。在LINUX下编译.24. 开发板hybus255的bootloader,原版的.25. YAFFS A NAND-flash filesystem的介绍文件.26. 本文介绍MGLS-l2864液晶显示模块的功能、原理及开发步骤。MGLS-12864液晶显示模块内置有HD61202液晶显示控制驱动器.27. 嵌入式系统 Boot Loader 技术内幕.28. 该程序为LINUX下的串口通讯程序,采用华恒公司的嵌入式开发套件,包含了makefile文件.29. 该程序为UClinux下面的USB接口通讯程序,采用C语言编写,包含了makefile文件,使用的开发环境为华恒公司的嵌入式开发套件.30. 非常流行的T9693芯片驱动的240128象素LCD驱动程序.31. 一个基于ucos－ii和lwip的简单telent服务器.32. 著名的《tcplean》的配套光盘.33. CYPREES的EZ-USB2131Q芯片开发板的使用说明.34. fat16.35. CPU卡在税控行业应用驱动,符合7816要求.36. MP3系统中USB接口设计.37. fat文件系统的工作原理相关内容,是学习fat文件系统的必备资料.38. ic设计的相关文章,来自台湾交大,ic设计的精品文章.39. 在TMS320VC5402上实现的嵌入式TCPIP协议栈.40. 最简单的20键PS/2键值读取程序.
标签： 模具设计
上传时间： 2013-04-15
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MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 读懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并联技术 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动方式详解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 关于MOSFET驱动电阻值的计算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的电流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 张兴柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电路设计参考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持续电流是如何确定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上传时间： 2013-07-01
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
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