目前部分杂志上对电流采样电路分析不准确,此文通过能量平衡的方法计算出分压电阻与充电角δ之间的函数关系,并应用函数无限接近的方法计算出δ值,从而得出A/D采用的电压。
标签： 电流互感器
上传时间： 2022-04-14
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基于单片机的电流电压测量，有需要的可以参考！
上传时间： 2022-04-14
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PCB-设计铜皮与电流的关系，有需要的可以参考!
标签： pcb
上传时间： 2022-04-19
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为适应双向DC/DC功率变换的电流采样需求,一种高精度高边电流采样电路被提出。其基本思想是在功率电路的高边串入采样电阻,借助电流镜原理并引入偏置电流电路,将双向电流均转换为正向电压输出。通过理论分析与仿真结合的方法对电流镜采样原理及4种不同的偏置电流电路方案进行对比,最后通过实验数据验证了高精度高边电流采样电路的有效性。实验数据表明,该采样电路可在-25~75℃的温度工作范围内,针对-10~＋10 A范围内的电流采样实现优于5%的采样精度。Current sensing plays an important role in controlling,monitoring or protection functions of power systems.To meet the current sensing requirement of bidirectional DC/DC converters,a high-accuracy bidirectional current sensing circuit is proposed.The proposed current sensing circuit inserts a resistor in the path of the current to be sensed,while the current mirror and biased current circuit are introduced.Therefore,the bidirectional current can be expressed by positive voltage.By theoretical analysis and simulation,the sampling theory is analyzed and four biased current circuits are compared.At last,experimental results verified the proposed method.It is demonstrated that the proposed current sensing circuit can achi...
上传时间： 2022-04-22
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DL-PT202H1电流型电压互感器使用说明
标签： 互感器
上传时间： 2022-04-29
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文章中的设计以 STM32 为数据处理与系统控制的核心，配合各种外围电路制作了一款高精度的简易电路特性测试仪，其优点在于采用了各种模块电路（电压跟随器电路、放大电路），供电电源电路使用 PCB 制版，电压波纹较小，进一步减小了误差。高精度、低功耗 DDS 芯片 AD9833 电路将产生标准 1kHz 频率的正弦波信信号，可进一步提高精度。测量方法采用电阻分压法，该方法简单且精度高，对仪器要求不高，便于使用。
标签： stm32
上传时间： 2022-04-30
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XTR105 PT100温度传感器到4-20MA电流环变换电路PPROTEL 99SE 工程文件，将PT100的温度变换为4-20MA电流信号，Protel 99se 设计的项目工程文件，包括原理图及PCB印制板图，可用Protel或 Altium Designer(AD)软件打开或修改，都已经制板在实际项目中使用，可作为你产品设计的参考。
上传时间： 2022-05-17
上传用户：kingwide
有关单片机的电流检测实验，适合感兴趣的学习者学习，可以提高自己的能力，大家可以多交流哈
上传时间： 2022-05-20
上传用户：默默
如何利用DA输出和电流探头通过示波器测量FOC电机控制：相电流波形及反向电动势及电角度等波形
标签： FOC电机控制
上传时间： 2022-06-04
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近年来，对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件，利用静态测试仪3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，扫描电子显微镜）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度热成像分析仪）等多种分析手段对模块应用当中失效的1GBT芯片进行电特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相应的失效模式提出了封装改进方案。1，对于栅极失效的情况，本论文先经过电特性测试完成预分析，并利用THEMOS分析出栅极漏电流通路，找到最小点并进行失效原因分析，针对相应原因提出改进方案。2，针对开通与关断瞬态过电流失效，采用研磨、划片等手段进行芯片的解剖。并用SEM与EDX对芯片损伤程度进行评估分析，以文献为参考进行失效原因分析，利用saber仿真进行失效原因验证。3，针对通态过电流失效模式，采用解剖分析来评估损伤情况，探究失效原因，并采用电感钳位电路进行实验验证。4，针对过电压失效模式，采用芯片解剖方式来分析失效点以及失效情况，基于文献归纳并总结出传统失效原因，并通过大量实验得出基于封装的失效原因，最后采用saber仿真加以验证。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
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