本文介绍基于 AVR 嵌入系统的三相660 伏电力智能投切开关装置的开发设计。该装置以ATmega48V 为核心器件，采用零电压接通，零电流分断技术，在投入和切断瞬间由可控硅承载线路电流，而在正常闭合工作时由电磁接触器承载电流。可广泛应用于电力谐波治理和无功补偿设备中作为开关部件，具有无冲击电流、响应时间短等特性。在工矿企业用电设备中存在大量的感性负载，如电弧炉、直流电机调速系统、整流逆变设备等，它们在消耗有功功率的同时，也占用了大量感性无功功率，致使电力功率因数下降。由于无功功率虚占了设备容量、增大了线路的电流值，而线路损耗与电流的平方成正比，因此造成电力资源的巨大浪费。另外，这些感性负载工作时还会产生大量的电力谐波，对电网造成谐波污染，使电能质量恶化，电器仪表工作异常。为了提高功率因数、治理谐波，可以采用动态滤波补偿，由电容器和电感器串联形成消谐回路，起到无功补偿和滤除谐波的作用。各种滤波补偿系统，基本都由电力电容器、铁芯电抗器、无功补偿控制器和电力投切装置等构成，其中电力投切装置负责与电网接通、切断任务，是整个补偿系统中关键部件之一。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：气温达上千万的
交通灯控制器的设计与实现一、实验目的1． 了解交通灯管理的基本工作原理。2． 熟悉8253计数器/定时器、8259A中断控制器和8255A并行接口的工作方式及应用编程。3． 掌握多位LED显示的方法。 二、 实验内容与要求设计一个用于十字路口的交通灯控制器。1．基本要求： 1) 东西和南北方向各有一组红,黄,绿灯用于指挥交通,红,黄,绿的持续时间分别为25s,5s,20s。2) 当有紧急情况（如消防车）时，两个方向均为红灯亮，计时停止，当特殊情况结束后，控制器恢复原来状态，正常工作。3) 一组数码管，以倒计时方式显示两个方向允许通行或禁止通行的时间。2．提高部分：1) 实时修改交通灯的持续时间。2) 根据不同时段对主要交通方向的信号进行调整。3) 可以使用LCD显示提示信息。 三、实验报告要求 １．设计目的和内容 ２．总体设计 ３．硬件设计：原理图（接线图）及简要说明 ４．软件设计框图及程序清单 ５．设计结果和体会（包括遇到的问题及解决的方法） 四、总体设计交通灯的工作过程如下：设十字路口的1、3为南，北方向，2、4为东西方向，初始态为4个路口的红灯全亮。之后，1、3路口的绿灯亮，2、4路口的红灯亮，1、3路口方向通车，2个路口的LED数码管开始倒计时25秒。延迟20秒后，1、3路口的绿灯熄灭，而1，3路口的黄灯开始闪烁（1HZ）。闪烁5次后，1、3路口的红灯亮，同时2、4路口的绿灯亮，2、4路口方向开始通车，2个路口的LED数码管重新开始倒计时25秒。延迟20秒时间后，2、4路口的绿灯熄灭，而黄灯开始闪烁。闪烁5次后，再切换到1、3路口方向。之后，重复上述过程。当有紧急情况时，2个方向都红灯亮，倒计时停止，车辆禁止通行，当紧急情况结束后，控制器恢复以前的状态继续工作。 在设计中采用6个发光二极管来模拟2个路口的黄红绿灯，每个路口用2个数码管来显示通行或禁止剩余的时间。紧急情况用一个单脉冲发生单元申请中断来模拟，紧急情况结束后，再发一个中断来恢复以前的状态。 根据前面的介绍，本设计硬件由定时模块、发光二极管模块、数码管显示模块和紧急中断模块组成。定时模块采用硬件定时和软件定时相结合的方法，用8253定时/计数器定时100ms，再用软件计时实现所需的定时。发光二极管模块由8255控制发光二极管来实现。数码管显示模块由实验平台上的LED显示模块实现。紧急中断模块是由单脉冲发生单元和8279中断控制器组成。 程序主要是由定时子程序、发光二极管显示子程序、数码管显示子程序和中断服务程序组成。包括对8253、8255以及8259等可编程器件的编程。 五、硬件设计 本课题的设计可通过实验平台上的一些功能模块电路组成，由于各模块电路内部已经连接，用户在使用时只要设计模块间电路的连接，因此，硬件电路的设计及实现相对简单。完整系统的硬件连接如图1所示。硬件电路由定时模块、发光二极管模块、数码管显示模块和紧急中断模块组成。 定时模块是由8253的计数器0来实现定时100ms。Clk0接实验平台分频电路输出Q6，f＝46875hz。GATE0接8255的PA0，由8255输出来控制计数器的起停。OUT0接8259的IRQ2，定时完成申请中断，进入中断服务程序。 发光二极管显示模块由8255输出来控制发光二极管的亮灭。8255输出为低电平时，对应的发光二极管就点亮，否则就熄灭。8255的接口电路如图2所示。交通灯的对应关系如下：L7 L6 L5 L2 L1 L0PC7 PC6 PC5 PC2 PC1 PC013红灯 13黄灯 13绿灯 24红灯 24黄灯 24绿灯 实验平台上提供一组六个LED数码管。插孔CS1用于数码管段选的输出选通，插孔CS2用于数码管位选信号的输出选通。本设计用4个数码管来倒计时。 紧急中断模块是由单脉冲发生单元和8259中断控制器，单脉冲发生单元主要用来请求中断，然后做出紧急情况处理。
标签： 交通灯控制器
上传时间： 2013-10-07
上传用户：小小小熊
家电制造业的竞争日益激烈，市场调整压力越来越大，原始设备制造商们（OEM）为了面对这一挑战，必须在满足电磁兼容性的条件下，不断降低产品的成本。由于强调成本控制，为防止由电源和信号线的瞬变所产生的电器故障而实施必要的瞬态免疫保护，对于家电设计者来说变得更具挑战性。由于传统的电源设计和电磁干扰（EMI）控制措施为节约成本让路，家电设计者必须开发出新的技术来满足不断调整的电磁兼容（EMC）需求。本应用笔记探讨了瞬态电气干扰对嵌入式微控制器（MCU）的影响，并提供了切实可行的硬件和软件设计技术，这些技术可以为电快速瞬变（EFT）、静电放电（ESD）以及其它电源线或信号线的短时瞬变提供低成本的保护措施。虽然这种探讨是主要针对家电制造商，但是也适用于消费电子、工业以及汽车电子方面的应用。 低成本的基于MCU 的嵌入式应用特别容易受到ESD 和EFT 影响降低性能。即使是运行在较低时钟频率下的微控制器，通常对快速上升时间瞬变也很敏感。这种敏感性归咎于所使用的工艺技术。如今针对低成本8/16位的MCU的半导体工艺技术所实现的晶体管栅极长度在0.65 μm～0.25 μm范围内。此范围内的栅极长度能产生和响应上升时间在次纳秒范围内（或超过300 MHz 的等同带宽）的信号。因此， MCU 能够响应进入其引脚的ESD 或EFT 信号。除上述工艺技术之外， MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能还会受到IC 设计及其封装、印刷电路板（PCB）的设计、MCU 上运行的软件、系统设计以及ESD 或EFT 波形特征的影响。各因素的相对影响（强调对最大影响的贡献）如图1 所示。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：Jerry_Chow
单线LIN局部互连网络总线采用的是一个新的标准。在性能要求不高的情况下，它使用更低价的解决方案补充了类似CAN 的高端汽车总线的不足，这篇文章讲述了在现有的Philips 80C51 微控制器上是如何实现LIN 总线的。
上传时间： 2013-10-08
上传用户：xjy441694216
当拿到一张CASE单时，首先得确定的是能用什么母体才能实现此功能，然后才能展开对外围硬件电路的设计，因此首先得了解每个母体的基本功能及特点，下面大至的介绍一下本公司常用的IC：单芯片解决方案• SN8P1900 系列– 高精度 16-Bit 模数转换器– 可编程运算放大器 (PGIA)• 信号放大低漂移: 2V• 放大倍数可编程: 1/16/64/128 倍– 升压- 稳压调节器 (Charge-Pump Regulator)• 电源输入: 2.4V ~ 5V• 稳压输出: e.g. 3.8V at SN8P1909– 内置液晶驱动电路 (LCD Driver)– 单芯片解决方案 • 耳温枪 SN8P1909 LQFP 80 Pins• 5000 解析度量测器 SN8P1908 LQFP 64 Pins• 体重计 SN8P1907 SSOP 48 Pins单芯片解决方案• SN8P1820 系列– 精确的12-Bit 模数转换器– 可编程运算放大器 (PGIA)• Gain Stage One: Low Offset 5V, Gain: 16/32/64/128• Gain Stage One: Low Offset 2mV, Gain: 1.3 ~ 2.5– 升压- 稳压调节器• 电源输入: 2.4V ~ 5V• 稳压输出: e.g. 3.8V at SN8P1829– 内置可编程运算放大电路– 内置液晶驱动电路 – 单芯片解决方案 • 电子医疗器 SN8P1829 LQFP 80 Pins 高速/低功耗/高可靠性微控制器• 最新SN8P2000 系列– SN8P2500/2600/2700 系列– 高度抗交流杂讯能力• 标准瞬间电压脉冲群测试 (EFT): IEC 1000-4-4• 杂讯直接灌入芯片电源输入端• 只需添加1颗 2.2F/50V 旁路电容• 测试指标稳超 4000V (欧规)– 高可靠性复位电路保证系统正常运行• 支持外部复位和内部上电复位• 内置1.8V 低电压侦测可靠复位电路• 内置看门狗计时器保证程序跳飞可靠复位– 高抗静电/栓锁效应能力– 芯片工作温度有所提高: -200C ~ 700C 工规芯片温度： -400C ~ 850C 高速/低功耗/高可靠性微控制器• 最新 SN8P2000 系列– SN8P2500/2600/2700 系列– 1T 精简指令级结构• 1T: 一个外部振荡周期执行一条指令• 工作速度可达16 MIPS / 16 MHz Crystal– 工作消耗电流 < 2mA at 1-MIPS/5V– 睡眠模式下消耗电流 < 1A / 5V额外功能• 高速脉宽调制输出 (PWM)– 8-Bit PWM up to 23 KHz at 12 MHz System Clock– 6-Bit PWM up to 93 KHz at 12 MHz System Clock– 4-Bit PWM up to 375 KHz at 12 MHz System Clock• 内置高速16 MHz RC振荡器 (SN8P2501A)• 电压变化唤醒功能• 可编程控制沿触发/中断功能– 上升沿 / 下降沿 / 双沿触发• 串行编程接口
上传时间： 2013-10-21
上传用户：jiahao131
家电制造业的竞争日益激烈，市场调整压力越来越大，原始设备制造商们（OEM）为了面对这一挑战，必须在满足电磁兼容性的条件下，不断降低产品的成本。由于强调成本控制，为防止由电源和信号线的瞬变所产生的电器故障而实施必要的瞬态免疫保护，对于家电设计者来说变得更具挑战性。由于传统的电源设计和电磁干扰（EMI）控制措施为节约成本让路，家电设计者必须开发出新的技术来满足不断调整的电磁兼容（EMC）需求。本应用笔记探讨了瞬态电气干扰对嵌入式微控制器（MCU）的影响，并提供了切实可行的硬件和软件设计技术，这些技术可以为电快速瞬变（EFT）、静电放电（ESD）以及其它电源线或信号线的短时瞬变提供低成本的保护措施。虽然这种探讨是主要针对家电制造商，但是也适用于消费电子、工业以及汽车电子方面的应用。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：csgcd001
通用的多电源总线，如VME、VXI 和PCI 总线，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V（或±24V）电源，如果在这些系统中添加设备（如插卡等），则需要额外的3.3V或5V电源，这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1 电路，将-12V 电压升压到15.3V（相对于-12V 电压），进而得到3.3V 的电源电压，输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压（-10.75V）反馈给IC1 的FB 引脚，PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率，转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板尺寸，适用于依靠台式PC机电源供电，需要提供1W输出功率的应用，这种应用中，由于-12V总线电压限制在1.2W以内，因此需要保证高于83%的转换效率。由于限流电阻（RSENSE）将峰值电流限制在120mA，N 沟道MOSFET（Q1）可选用廉价的逻辑电平驱动型场效应管，R1、R2 设置输出电压（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反馈电压高于PGND引脚（Pin7）1.25V，因此：VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V选择电阻R1后，可确定：I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式确定R2：R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ图1 中，IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置，频率范围为100kHz 至500kHz，有利于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时，能够保证较高的转换效率，并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流，可在电路中增加一个与R1串联的二极管。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：jixingjie
特性• 一系列方法支持不同的照明概念/原理UHP CCFL等• 快速执行标准80C51 器件的两倍• 工作范围宽2.7V~6.0V 而且在125 仍可工作• 带晶振/谐振器和RC 的用户可配置振荡器不要求外部元件• 低电流操作• 丰富的特性集包括UART和I2C 串行通讯低电压检测和上电复位• 两个比较器• 在系统可编程ISP• 专用的模拟和数字外围设备• ADC 快速PWM 和DAC特殊控制的专用外围设备• PFC 功率因素修正• 带软开关PWM 的半桥和全桥控制• 使用ADC 和比较器进行照明管理• 与几乎所有远程协议接口DALI IR RF 等• 带镇流ASIC 带DAC 或PWM 的快速控制回路• 与存储设备的I2C 接口
上传时间： 2014-03-24
上传用户：ming529
DMA(Direct Memory Access)的概念DMA方式不用处理器干预完成M与I/O间数据传送。DMA期间系统总线由其它主模块控制(驱动)控制总线的主模块要提供系统的地址及控制信号。DMA控制器与处理器配合可实现系统的DMA功能。. DMA系统组成及工作过程․ DMA系统组成
上传时间： 2013-11-08
上传用户：rolypoly152
微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有删节版 前言2/71 摘要5/71 除外责任5/71 第一章 简介 6/71 第二章 背景知识 7/71 2.1 硅芯片安全措施的演变 7/71 2.2 存储器的种类14/71 2.3 安全保护的类型 15/71 第三章 破解技术 18/71 3.1 简介 18/71 3.1.1 保护等级18/71 3.1.2 攻击种类19/71 3.1.3 攻击过程20/71 3.2 非侵入式攻击 20/71 3.3 侵入式攻击21/71 3.4 半侵入式攻击 22/71 第四章 非侵入式攻击23/71 4.1 含糊与安全23/71 4.2 时序攻击24/71 4.3 穷举攻击24/71 4.4 功耗分析25/71 4.5 噪声攻击28/71 4.5.1 时钟噪声攻击 29/71 4.5.2 电源噪声攻击 30/71 4.6 数据保持能力分析 30/71 4.6.1 低温下SRAM的数据保持能力30/71 4.6.2 非易失存储器的数据保持能力 33/71 第五章 侵入式攻击 38/71 5.1 样品的准备38/71 5.1.1 打开封装38/71 5.1.2 逆向处理40/71 5.2 反向工程 41/71 5.2.1 使用光学图像来重建版图41/71
上传时间： 2013-10-23
上传用户：ikemada
