电池反向保护

共 34 篇文章
电池反向保护 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 34 篇文章,持续更新中。

CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路

采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 &mu;m 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.c

IGBT保护电路

IGBT保护电路

基于数字指纹的数字版权标识技术

<p>   针对互联网领域版权保护面临的挑战,介绍了一种新的版权公共服务新模式:数字版权标识符体系及其总体技术框架,并分析了基于数字指纹的数字版权标识技术,该技术对于数字版权标识符体系中数字版权监测取证功能的实现具有一定的意义。</p> <p style="text-align: center"> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/10

功率MOSFET驱动保护电路方案

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120314142512R5.jpg" styl

一种简单可靠离散量信号电路的设计和实现

<span id="LbZY">基于目前航空电子设备离散量输入/输出电路实现复杂,分立器件多,高低温下参数不一致等现象,通过对比分析典型离散量电路,提出了一种简单、高可靠性的离散量信号电路设计,同时由于典型离散量输出电路故障率较高,提出了一种离散量输出信号的过流保护电路设计思路,采用电路仿真软件Multisim进行了功能仿真、容差分析,在实际工程应用中各项实验结果证明,该电路满足实际使用要求,具有

运算放大器的保护

运算放大器的保护

铝电解电容器:详细介绍原理,应用,使用技巧

<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器:详细介绍原理,应用,使用技巧<p></p></FONT></P> <P class=MsoNormal style="MARGIN

基于多重加密技术的一个三重加密方案

分组密码的应用非常广泛,但由于差分密码攻击和线性密码攻击的出现,使分组密码受到致命的打击,文章基于能够保护已有软件和硬件使用分组密码投资的目的,采用多重加密的思想,通过对密码体制强化的方法,提出了一个新的三重加密方案,并分析了其安全性特征,得到了安全性更强的一种算法。<br /> <br />

ESD保护电路的设计

ESD 静电放电给你的电子产品带来致命的危害不仅降低了产品的可靠性增加了维修成本而且不符合欧洲共同体规定的工业标准EN61000-4-2 就会影响产品在欧洲的销售所以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑ESD 保护电路本文将讨论ESD保护电路的几种方法.<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202151002

低噪声放大器(LNA)

LNA的功能和指标<BR>二端口网络的噪声系数<BR>Bipolar LNA<BR>MOS LNA<BR>非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声<BR>CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配<BR>参考文献<BR>LNA 的功能和指标<BR>&#8226; 第一级有源电路,其噪声、非线性、匹配等性<BR>能对整个接收机至关重要<BR>&#8226; 主要指标<BR>– 噪声系数(NF)<BR>取决于系统

精密运算放大器自动校零

运算放大器集成电路,与其它通用<BR>集成电路一样,向低电压供电方向发<BR>展,普遍使用3V供电,目的是减少功<BR>耗和延长电池寿命。这样一来,运算放<BR>大器集成电路需要有更高的元件精度和<BR>降低误差容限。运算放大器一般位于电<BR>路系统的前端,对于时间和温度稳定性<BR>的要求是可以理解的,同时要改进电路<BR>结构和修调技术。当前,运算放大器是<BR>在封装后用激光修调和斩波器稳

CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。<br /> 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区

COOLMOS__ICE2A系列的应用研究

<div> 由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/2,65/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其优点是:用它做开关电源,无需加散热器,在通用电网即可输出20~50W 的功率;保护功能齐全;电路结构简单;能自动降低空载时的工作频率,从而降低待机状态的损耗,故在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。<br /> <img a

Construction Strategy of ESD P

Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo

无功功率自动补偿控制器

1) 全数字化设计,交流采样,人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示,数字输入。 4) 电容器控制方案支持

LED电路保护电路设计

LED电路保护电路

CMOS器件抗静电措施的研究

<p> <span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CM

电位计讯号转换器

电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1.产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离;如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号,机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器,除了能提供两组讯号输出(输出间隔离)或24V激发电源供传送器

ESD电热模拟分析

静电放电(ESD)是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此,电子产品中必须加上ESD保护,提供ESD电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ESD保护电路,使ESD保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ESD引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ESD模拟的软件,并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br /> <br />

运算放大器中的虚断虚短应用

<P>  虚短和虚断的概念</P> <P>  由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。</P> <P>  “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一