CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对...
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针时引起电磁干技的主要因素一缝隙.本文提出了缝隙转移阻抗等效建模方法,并在文中详细论述,为快速、正确预测电于设备中电磁兼容的性能提供方法和理论依据。 ...
The STM32F10xxx microcontroller family embeds up to three advanced 12-bit ADCs (depending on the device) with a conver...