电池制造设备

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对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对...

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通过分析机载设备对机箱的设计要求,得出了机载设备机箱屏蔽设计包括机箱材料选择和保证屏蔽完整性两方面的结论,并进一步给出了机载设备机箱结构上关于盖板、通风孔、导线穿透和开口、缝隙处理等方面电磁屏蔽设计的方法和技术措施。...

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