电晕效应
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电晕效应 热门资料
查看全部 500 份 →80c31单片机电路总剂量效应研究
从基础原理到实验分析，循序渐进讲解80C31单片机在总剂量效应下的电路表现。涵盖辐射环境对芯片性能的影响及应对策略，适合深入理解嵌入式系统可靠性设计。
2026-03-16
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80C196KC单片机电磁脉冲效应模拟实
本文用电流注入模拟的方法研究Intel80C196KC单片机的电磁脉冲(EMP)效应,介绍了试验系统,给出了单片机输入端口、输出端口、电源端口等8种典型端口的EMP干扰效应和3种类型端口的损伤效应的试验数据和初步结论.
2025-01-05
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电离总剂量辐射效应试验研究
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大...
2024-07-08
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