一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在...
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在...
LTC3260 可利用反相输入电压在其充电泵输出端(VOUT) 上提供高达 100mA 电流。另外,VOUT 还充当一个负 LDO 稳压器 (LDO-) 的输入电源。充电泵频率可由单个外部电阻器在 50kHz 至 500kHz 的范围内调节。 ...
LTC®3569 是一款适用于手持式设备的紧凑型电源解决方案。其纤巧型 3mm x 3mm QFN 封装中内置了三个具有可单独编程输出电压的降压型 (Buck) 稳压器。一个稳压器可支持高达 1200mA 的负载电流,而其他两个稳压器则可支持至 600mA 的负载电流。 ...
针对开关电源中的整流电路和其本身的非线性负载特性产生大量谐波污染公共电网问题,提出了一种高功率因素校正电路。采用英飞凌(Infineon)公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驱动MOSFET开关管,并与升压电感、输出电容等组成Boost拓扑结构,输入电流与基准电流比较后的误差电...
为了利用级联Blumlein型脉冲形成网络在高阻抗负载产生理想的高压平顶脉冲输出,开展了构成该脉冲功率源关键单元的始端电感和终端电感设计。从充电电压一致性,输出脉冲不发生严重畸变,高的电压叠加效率,可接受的负载预脉冲幅值出发,确定了始端电感和终端电感值的计算方法,利用锰锌铁氧体磁芯的饱和特性设计电感...