电压参数

共 177 篇文章
电压参数 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 177 篇文章,持续更新中。

液压传动系统设计与计算

<p> 液压系统设计的步骤大致如下:<br /> 1.明确设计要求,进行工况分析。<br /> 2.初定液压系统的主要参数。<br /> 3.拟定液压系统原理图。<br /> 4.计算和选择液压元件。<br /> 5.估算液压系统性能。<br /> 6.绘制工作图和编写技术文件。<br /> 根据液压系统的具体内容,上述设计步骤可能会有所不同,下面对各步骤的具体内容进行介绍。</p

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

二阶有源低通滤波电路分析

<p> 设计一种压控电压源型二阶有源低通滤波电路,并利用Multisim10仿真软件对电路的频率特性、特征参量等进行了仿真分析,仿真结果与理论设计一致,为有源滤波器的电路设计提供了EDA手段和依据。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12020Q5032U43.jpg" style="width: 381p

双极运算放大器的辐射效应和退火特性

<div>  本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6

整流滤波电容的设计与选用方法研究

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路,其中滤波电容的设计选取,直接影响到纹波电压的大小,关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下,依据整流滤波

CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。<br /> 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区

基于555芯片的电容测试仪的设计

本文介绍了使用两块555芯片和一块324芯片设计一个电容测试仪的实际电路,实现了将电容容值通过数字电压表的直流档直接读出来的功能。并在文后给出了实验数据。

实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究

摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算<BR>方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义.

大学物理实验RC电路时间常数的Multisim仿真测试

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的,采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发,分析了uC与时间常数之间的关系,给出了几种Multis

一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法

为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径

世界最新晶体管代换手册

<P>世界最新晶体管代换手册</P> <P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P> <P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶

电路分析基础pdf

<P>电路分析基础电路分析基础Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒体教学课件多媒体教学课件北京理工大学北京理工大学Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology</P> <P>目录<BR>&#8226;第一章集总电路中电压

集成运算放大器的应用

<BR>实验八 集成运算放大器<BR>一、实验目的<BR>1.学习集成运算放大器的使用方法。<BR>2.掌握集成运算放大器的几种基本运算方法。<BR>二、预习内容及要求<BR>集成运算放大器是具有高开环放大倍数的多级直接耦合放大电路。在它外部接上负反馈支路和一定的外围元件便可组成不同运算形式的电路。本实验只对反相比例、同相比例、反相加法和积分运算进行应用研究。<BR>1.图1是反相比例运算原理图。

一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实

Construction Strategy of ESD P

Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo

交流电压,电流转换器

交流电压,电流转换器 特点: 精确度0.25%满刻度(RMS) 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小,稳定性高 2:主要规格 精确度:0.25%F.S.(RMS) (23 &plusmn;5℃) 输入

无功功率自动补偿控制器

1) 全数字化设计,交流采样,人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示,数字输入。 4) 电容器控制方案支持

基于Multisim的高通滤波器的设计与仿真分析

<span id="LbZY">高通滤波为实现高频信号能正常通过,而低于设定临界值的低频信号则被阻隔、减弱。但是阻隔、减弱的幅度则会依据不同的频率以及不同的滤波程序而改变。文中阐述了对电压转移函数推导分析及电路性能的要求,并利用Multisim仿真软件对其频幅特性的分析进行。<br /> <br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31

基准电压的温度漂移研究应用笔记

<div> Abstract: A perfect voltage reference produces a stable voltage independent of any external factors. Real-world voltagereferences, of course, are subject to errors caused by many external facto

非理想运放构建的低通滤波电路优化设计

<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响,提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法,实验结果表明了该方法的有效性。<br /> <img alt="" src="http://dl.