电压参数

共 177 篇文章
电压参数 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 177 篇文章,持续更新中。

CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

<div> 为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS

基于小信号S参数的功率放大器设计

首先把功率管的小信号<em>S</em>参数制成S2P文件,然后将其导入ADS软件中,在ADS中搭建功率管的输入输出端口匹配电路,按照最大增益目标对整个电路进行优化,最后完成电路的设计。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120213153I0440.jpg" />

整流二极管参数10A05--10A10

整流二极管参数10A05--10A10

匹配傅里叶变换快速算法及在雷达信号处理中应用

<span id="LbZY">为了减小匹配傅里叶变换分析的计算量,提出了一种基于快速傅里叶变换的快速算法。根据匹配傅里叶变换的分解将积分形式转化为离散形式,推导出快速算法表达式。该算法与直接的数值离散匹配傅里叶变换算法相比较,计算量大大减少。同时给出了其在雷达信号处理中线性调频信号的检测与参数估计的应用。理论及计算机仿真结果表明了该算法的有效性和精确性,有良好的工程应用前景。</span><br

电路分析基础-ppt教程

<P>第一章&nbsp; 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1&nbsp; 电路与电路模型<BR>1.2&nbsp; 电路分析的基本变量<BR>1.3&nbsp; 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4&nbsp; 基尔霍夫定律<BR>1.5&nbsp; 受&nbsp; 控&nbsp; 源<BR>1.6&nbsp; 两类约束和KCL,KVL方程

绝对输出iMEMS陀螺仪与比率ADC的配合使用

<div> iMEMS陀螺仪常常与许多集成在微控制器中的低成本比率ADC配合使用。本应用笔记将简要介绍如何实现陀螺仪的绝对(不随电源电压变化而变化)输出与比率ADC的连接。<br /> &nbsp;

信噪比估计方法研究

<span id="LbZY">在QPSK调制方式下,分别研究推导了基于辅助数据的极大似然比信噪比估计算法研究、基于矩的信噪比估计算法研究以及基于高阶累积量的信噪比估计算法。通过仿真比较了信噪比估计算法的性能,着重分析比较了采用的迭代次数及数据长度等参数对算法性能的影响,最终根据算法各自的特点给出了相应的适用范围。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.c

针对高速应用的电流回授运算放大器

讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器<BR>电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势,并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。<BR>电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限,随着讯号振幅的增加,而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真,所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围

电流型运算放大器在应用电路中的特性研究

<p>   文中简要介绍了电流型运放的特性,着重对电流型运放的应用电路进行测试,研究电流型运放的应用特性。实验中,选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器,通过对此3类应用电路的测试,分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响,为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器提供参考。</p>

555时基集成电路简介

<p> 555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555,用CMOS 工艺制作的称为7555,除单定时器外,还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在4.5V~16V 工作,7555 可在3~18V 工作,输出驱动电流约为200mA,因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p> <p> <img alt=

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/

线性及逻辑器件选择指南

<P>绪论 3<BR>线性及逻辑器件新产品优先性<BR>计算领域4<BR>PCI Express&reg;多路复用技术<BR>USB、局域网、视频多路复用技术<BR>I2C I/O扩展及LED驱动器<BR>RS-232串行接口<BR>静电放电(ESD)保护<BR>服务器/存储10<BR>GTL/GTL+至LVTTL转换<BR>PCI Express信号开关多路复用<BR>I2C及SMBus接口<B

定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别

555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555,用 CMOS 工艺制作的称为 7555,除单定时器外,还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,输出驱动电流约为 200mA,因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低,性能可靠

BUCK变换中的尖峰问题

BucK变换器在开关转换瞬间.由于线路<BR>上存在感抗,会在主功率管和二极管上产生电<BR>压尖峰,使之承受较大的电压应力和电流冲击,<BR>从而导致器件热损坏及电击穿 因此,为避免<BR>此现象,有必要对电压尖峰的原因进行分析研<BR>究,找出有效的解决办法。

数字PID控制算法讲解

<p> 数字PID控制算法是将模拟PID离散化得到,各参数有着明显的物理意义,调整方便,所以PID控制器很受工程技术人员的喜爱。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-120116163046403.jpg" /></p>

功率MOSFET的开通和关断原理

开通过程[ t0 ~ t4 ]:<br /> -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止状态,t0 时,MOSFET 被驱动开通;<br /> -- [t0-t1]区间,MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,在t1 时刻,到达维持电压Vth,MOSFET 开始导电;<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177

模拟量差分输入方式的应用指南

本应用手册中的内容适用于PCM系列数据采集板卡中PCM-8208BT、PCM-8208BS隔离模拟量输入板卡。 对于非隔离的板卡PCM-8308BS也可以参考其接线方式应用于现场。 1.PCM-8208BT、PCM-8208BS数据采集板卡主要参数 PCM系列数据采集板卡为支持PC/104总线接口的数据采集板卡。

双频式定子接地保护的模拟滤波器设计与实现

双频式定子接地保护是目前在中小型发电机中得到广泛应用的一种发电机保护,三次谐波的变化情况是这种保护动作的依据之一。文中着重就能够从发电机机端和中性点侧电压中初步提取三次谐波的模拟滤波器的设计进行了讨论,通过分析比较各类滤波器的阻带衰减速度、通频带平坦度等特点以及生产实际装置的成本等多方面因素设计出了一款能够满足保护装置要求的模拟滤波器。从仿真及实验结果中可以看出,此款模拟滤波器具有良好的应用效果。

基于ADF4350的多频段信号源的设计与实现

<div> 摘要ADF4350是ADI公司生产的集成了电压控制振荡器(VCO)的宽带频率合成器。介绍了该宽带频率合成器的基本原理和工作特性,给出了一种用C8051F320单片机控制ADF4350的硬件电路结构和软件程序设计方法, 得到了应用在测量船的s和C频段信号源。该信号源通过上位机软件的简单设置, 可以方便地实现现场控制,满足测量船的使用要求。经测试表明,该信号源覆盖了测量船s和c频段系统的

宽带射频功率放大器的数字预失真技术研究

<div> 本课题主要研究对象为数字预失真技术中的功放模型的建立及数字预失真算法的研究。功放的数学模型主要分为无记忆模型和记忆模型,分析了不同模型的参数估计的方法。针对以往常见的模型反转数字预失真算法,课题分析并使用了新颖的间接学习(indirect learning)数字预失真算法,从而有效避免了无法对功放模型进行求逆的缺陷,并在此架构下仿真了不同功放模型的参数估计对于数字预失真效果的影响。针