介绍测试技术发展及应用，注意内容是间接，适合写小作业查资料，正规论文慎用
上传时间： 2015-11-10
上传用户：Summer1013
王全安主编 经典权威书籍 十一五国家级规划教材
标签： 电力电子技术
上传时间： 2016-04-24
上传用户：guoguoce
PWM整流器以其优良的性能和潜在的优势正在广泛地应用，已成为电力电子技术研究的热点。本以电压型PWM整流器为主，兼顾电流型PWM整流器，对PWM整流器的基本原理、数学建模、特性分析、
上传时间： 2016-05-09
上传用户：1425564266
使用手册《电气技术用文件的编制(第5部分):索引(GB/T 6988.5-2006)(IEC 61082-6:1997)》由全国电气信息结构、文件编制和图形符号标准化技术委员会提出并归口。本部分起草单位：机械科学研究院中机生产力促进中心、航空总公司301所、国电华北电力设计院工程有限公司、中冶京诚工程技术有限公司、凌海科诚电力电器制造有限责任公司、辽宁立德电力电子有限公司。本部分主要起草人：郭汀、高永梅、沈兵、高惠民、曾幼云、王健斌、张玉良、王春海。
标签： EPLAN
上传时间： 2018-06-27
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基于CPLD的高精度PWM控制器的设计 电力电子技术已经广泛地应用在许多领域， P W M 作为电力电子装置的控制技术，具有优良的控制性能。
上传时间： 2019-07-31
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王兆安编制，大学学的书籍，该书籍内容翔实，包含很多内容。
上传时间： 2020-02-10
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常用的电子测量设备都有介绍，全面介绍了测量基础-设备使用-虚拟仪器
上传时间： 2021-07-15
上传用户：zhy379
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖， 紧跟时代发展， 除了介绍经典的功率二极管、 晶闸管外， 还重点介绍了MOSFET、 IGBT 等现代功率器件， 颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。 本书是一本精心编著， 并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书， 相信它的翻译出版， 必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-11-07
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随着电力电子技术的快速发展，对电源设备尤其是大功率电源设备的要求越来越高。由于不可控整流器在功率设备中的广泛应用，各种谐波对电网的污染也变得十分严重，使得电能的生产、传输和利用的效率降低。为了解决这一问题，我们必须对输入电流进行校正，使其正弦化，来提高系统的功率因数。同时，直流软开关技术是电力电子装置向高频化、高功率密度发展的关键技术。目前大功率电源的功率因数校正(PFC)技术和DC他C软开关技术是电力电子技术方面研究的重点问题。
标签： 开关电源
上传时间： 2021-12-09
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