工程制图B教学课件，内容还不错，有需要的下载，看看
标签： 教学资料
上传时间： 2018-03-01
上传用户：lgdxy
刚刚上传的是工程B习题答案，有需要的可下载看看
标签： 工程制图
上传时间： 2018-03-01
上传用户：lgdxy
Py3爬取B站视频弹幕。。。。。。。。。。。。。
上传时间： 2019-12-17
上传用户：wine
1998年建模B题，内含解题方法解题步骤。
上传时间： 2020-05-02
上传用户：isomerrrr
全国大学生电子设计竞赛2020年TI杯模拟电子系统设计专题邀请赛多种幅度调制信号发生电路（B 题）
上传时间： 2021-07-08
上传用户：st-15180703380
NS32F103x8(B) 软件硬件兼容STM32F103C8/CBT6，实际测试过，完全可以兼容。支持国产，国产加油！
标签： ns32f103x8 STM32
上传时间： 2021-10-31
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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5V USB扁口接口TP4055锂离子电池充电接口板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，2层B板手设计，大小为33*18mm,，可以做为你的学习设计参考。TP4055 是一款完整的单节锂离子电池充电器，带电池正负极反接保护，采用恒定 电流/恒定电压线性控制。其 SOT 封装与较少的外部元件数目使得 TP4055 成为便携式应 用的理想选择。TP4055 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。 由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和 隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件 下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部 设置。当电池达到 4.2V 之后，充电电流降至设定值 1/10，TP4055 将自动终止充电。 当输入电压（交流适配器或 USB 电源）被拿掉时，TP4055 自动进入一个低电流状 态，电池漏电流在 2uA 以下。TP4055 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自 动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。
上传时间： 2021-11-22
上传用户：trh505
该文档为A、B、AB、D类音频功率放大器简介文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
上传时间： 2021-11-28
上传用户：qdxqdxqdxqdx
该文档为半导体功率器件的背面结构的制作技术总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 半导体功率器件
上传时间： 2021-11-30
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