生存性
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电子设备贮存与不工作可靠性预计方法-220页-4.0M.pdf
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 电子设备贮存与不工作可靠性预计方法-220页-4.0M.pdf
2013-06-22
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电子设备贮存与不工作可靠性预计方法 220页 4.0M.pdf
电子工艺,质量及可靠性相关专辑 80册 902M电子设备贮存与不工作可靠性预计方法 220页 4.0M.pdf
2014-05-05
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16Kbit非易失性铁电存储器FRAM芯片FM25C160原理及其应用
FM25C160 是美国Ramtron 公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它具有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了FM25C160 的性能特点﹑管脚定义﹑内部结
2023-10-18
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电子设备贮存与不工作可靠性预计方法 220页 4.0M.pdf
资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【0】工艺质量（可靠性、电磁兼容、抗干扰、WDT、品管）->电子设备贮存与不工作可靠性预计方法 220页 4.0M.pdf
2023-04-21
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电子设备贮存与不工作可靠性预计方法-220页-4.0M.pdf
专辑类-电子工艺-质量及可靠性相关专辑-80册-9020M 电子设备贮存与不工作可靠性预计方法-220页-4.0M.pdf
2023-07-12
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微处理器和高速缓存模块硬件特性及规范说明
The Processor and Cache Module (PCM) is a 17 x 17 pin grid array (PGA) circuit assembly which combin
2023-12-23
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实现产生伪随机序列的部件 —— 线性反馈移位寄存器单元。 SFlog2为扩频因子的底数为2的对数值
实现产生伪随机序列的部件 —— 线性反馈移位寄存器单元。 SFlog2为扩频因子的底数为2的对数值，cycle为PN序列的周期，其值为2^SFlog2。initial_state为移位寄存器的初始状态，generator_polynomia...
2016-08-12
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