15-1.实现定时的方法15-2.定时器/计数器的结构和工作原理 15-3.定时器/计数器的控制15-4.定时器/计数器的工作方式 15-5.定时器/计数器应用 软件定时软件延时不占用硬件资源，但占用了CPU时间，降低了CPU的利用率。例如延时程序。采用时基电路定时例如采用555电路，外接必要的元器件（电阻和电容），即可构成硬件定时电路。但在硬件连接好以后，定时值与定时范围不能由软件进行控制和修改，即不可编程，且定时时间容易漂移。可编程定时器定时最方便的办法是利用单片机内部的定时器/计数器。结合了软件定时精确和硬件定时电路独立的特点。定时器/计数器的结构 定时器/计数器的实质是加1计数器（16位），由高8位和低8位两个寄存器组成。TMOD是定时器/计数器的工作方式寄存器，确定工作方式和功能；TCON是控制寄存器，控制T0、T1的启动和停止及设置溢出标志。
上传时间： 2014-12-28
上传用户：rnsfing
通用的多电源总线，如VME、VXI 和PCI 总线，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V（或±24V）电源，如果在这些系统中添加设备（如插卡等），则需要额外的3.3V或5V电源，这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。图1 电路，将-12V 电压升压到15.3V（相对于-12V 电压），进而得到3.3V 的电源电压，输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压（-10.75V）反馈给IC1 的FB 引脚，PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率，转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板尺寸，适用于依靠台式PC机电源供电，需要提供1W输出功率的应用，这种应用中，由于-12V总线电压限制在1.2W以内，因此需要保证高于83%的转换效率。由于限流电阻（RSENSE）将峰值电流限制在120mA，N 沟道MOSFET（Q1）可选用廉价的逻辑电平驱动型场效应管，R1、R2 设置输出电压（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反馈电压高于PGND引脚（Pin7）1.25V，因此：VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V选择电阻R1后，可确定：I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式确定R2：R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ图1 中，IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置，频率范围为100kHz 至500kHz，有利于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时，能够保证较高的转换效率，并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流，可在电路中增加一个与R1串联的二极管。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：jixingjie
LTC1732 是LINEAR TECHNOLOGY 公司推出的锂离子电池充电控制集成电路芯片。它具有电池插入检测和自动低压电池充电功能。文章介绍了该芯片的结构、特点、工作原理及应用信息，给出了典型的应用电路。 LTC1732 是LINEAR TECHNOLOGY 公司生产的锂-离子（Li-离子）电池恒流/恒压线性充电控制器。它也可以对镍-镉（NiCd）和镍-氢（NiMH）电池恒流充电。其充电电流可通过外部传感电阻器编程到7%（最大值）的精度。最终的浮动电压精度为1%。利用LTC1732 的SEL 端可为4.1V 或4.2V 电池充电。当输入电源撤消后，LTC1732 可自动进入低电流睡眠状态，以使消耗电流下降到7μA。LTC1732 的内部比较器用于检测充电结束条件（C/10），而总的充电时间则是通过可编程计时器的外部电容来设置的。在电池完全放电后，控制器将自动以规定电流的10%对被充电电池进行慢速充电直到电池电压超过2.457V。当放电后的电池插入充电器或当输入电源接通时，LTC1732 将开始重新充电。另外，如果电池一直插入在充电器且在电池电压降到3.8V（LTC1732-4）或4.05V（LTC1732-4.2）以下时，充电器也将开始重新充电。LTC1732 的其它主特点如下：●具有1%的预置充电电压精度；●输入电压范围4.5V～12V；●充电电流可编程控制；●具有C/10 充电电流检测输出；●可编程控制充电终端计时；●带有低电压电池自动小电流充电模式；●可编程控制恒定电流接通模式；●具有电池插入检测和自动低压电流充电功能；●带有输入电源（隔离适配器）检测输出；●LTC1732-4.2 型器件的再充电阈值电压为4.05V；●LTC1732-4 型器件的再充电阈值电压为3.8V。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：semi1981
PCF8563 是低功耗的CMOS 实时时钟日历芯片.它提供一个可编程时钟输出一个中断输出和掉电检测器.所有的地址和数据通过I2C 总线接口串行传递最大总线速度为400Kbits/s 每次读写数据后内嵌的字地址寄存器会自动产生增量.2 特性 低工作电流典型值为0.25 A VDD=3.0V Tamb=25 时; 世纪标志; 大工作电压范围1.0 5.5V; 低休眠电流典型值为0.25 A(VDD=3.0V,Tamb=25 ); 400KHz 的I2C 总线接口VDD=1.8 5.5V 时; 可编程时钟输出频率为32.768KHz 1024Hz 32Hz 1Hz; 报警和定时器; 内部集成的振荡器电容片内电源复位功能掉电检测器; I2C 总线从地址读0A3H 写0A2H; 开漏中断引脚
上传时间： 2013-12-16
上传用户：liuchee
Σ-ΔA/D技术具有高分辨率、高线性度和低成本的特点。本文基于TI公司的MSP430F1121单片机，介绍了采用内置比较器和外围电路构成类似于Σ-△的高精度A/D实现方案，适合用于对温度、压力和电压等缓慢变化信号的采集应用。 在各种A/D转换器中，最常用是逐次逼近法(SAR)A/D，该类器件具有转换时间固定且快速的特点，但难以显著提高分辨率；积分型A/D 有较强的抗干扰能力，但转换时间较长；过采样Σ-ΔA/D由于其高分辨率，高线性度及低成本的特点，正得到越来越多的应用。根据这些特点，本文以TI公司的MSP430F1121单片机实现了一种类似于Σ-ΔA/D技术的高精度转换器方案。 MSP430F1121是16位RISC结构的FLASH型单片机，该芯片有14个双向I/O口并兼有中断功能，一个16位定时器兼有计数和定时功能。I/O口输出高电平时电压接近Vcc，低电平时接近Vss，因此，一个I/O口可以看作一位DAC，具有PWM功能。 该芯片具有一个内置模拟电压比较器，只须外接一只电阻和电容即可构成一个类似于Σ-Δ技术的高精度单斜率A/D。一般而言，比较器在使用过程中会受到两种因素的影响，一种是比较器输入端的偏置电压的积累；另一种是两个输入端电压接近到一程度时，输出端会产生振荡。 MSP430F1121单片机在比较器两输入端对应的单片机端口与片外输入信号的连接线路保持不变的情况下，可通过软件将比较器两输入端与对应的单片机端口的连接线路交换，并同时将比较器的输出极性变换，这样抵消了比较器的输入端累积的偏置电压。通过在内部将输出连接到低通滤波器后，即使在比较器输入端两比较电压非常接近，经过滤波后也不会出现输出端的振荡现象，从而消除了输出端震荡的问题。利用内置比较器实现高精度A/D图1是一个可直接使用的A/D转换方案，该方案是一个高精度的积分型A/D转换器。其基本原理是用单一的I/O端口，执行1位的数模转换，以比较器的输出作反馈，来维持Vout与Vin相等。图1：利用MSP430F1121实现的实用A/D转换器电路方案。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：lliuhhui
6.1 存储器概述1、存储器定义 在微机系统中凡能存储程序和数据的部件统称为存储器。2、存储器分类 微机系统中的存储器分为内存和外存两类。3、内存储器的组成 微机系统中的存储器由半导体存储器芯片组成。 单片机内部有存储器，当单片机内部的存储器不够用时，可以外扩存储器。外扩的存储器就是由半导体存储器芯片组成的。 当用半导体存储器芯片组成内存时必须满足个要求：①每个存储单元一定要有8个位。②存储单元的个数满足系统要求。注意：内存的容量是指它所含存储单元的个数（每个存储单元一定要有8个位，可以存储8位二进制信息）。6.2 半导体存储器由于集成工艺水平的限制，一个半导体存储器芯片上所集成的单元个数和每个单元的位数有限，用它构成内存时必须满足：内存容量和一个存储单元有8个位的要求，因此内存常常由多个半导体存储器芯片构成。 半导体存储器芯片的存储容量是指其上所含的基本存储电路的个数，用单元个数×位数表示。掌握：① 已知内存容量和半导体存储器芯片的容量，求用半导体存储器芯片构成内存时需要的芯片个数。② 内存的容量=末地址—首地址+1 半导体存储器芯片分成ROM和RAM两类。6.2.1 ROM芯片6.2.2 RAM芯片6.3 MCS-51单片机存储器扩展 在微机系统中存储器是必不可少。MCS51系列单片机内部的存储器不够用时需要外扩半导体存储器芯片，外扩的半导体存储器芯片与MCS51系列单片机通过三总线交换信息。二者连接时必须考虑如下问题：1．二者地址线、数据线、控制线的连接。2．工作速度的匹配。CPU在取指令和存储器读或写操作时，是有固定时序的，用户要根据这些来确定对存储器存取速度的要求，或在存储器已经确定的情况下，考虑是否需要Tw周期，以及如何实现。3．片选信号的产生。目前生产的存储器芯片，单片的容量仍然是有限的，通常总是要由许多片才能组成一个存储器，这里就有一个如何产生片选信号的问题。4．CPU的驱动能力 。在设计CPU芯片时，一般考虑其输出线的直流负载能力，为带一个TTL负载。现在的存储器一般都为MOS电路，直流负载很小，主要的负载是电容负载，故在小型系统中，CPU是可以直接与存储器相连的，而较大的系统中，若CPU的负载能力不能满足要求，可以（就要考虑CPU能否带得动，需要时就要加上缓冲器，）由缓冲器的输出再带负载。6.3.1 ROM芯片的扩展6.3.2 RAM芯片的扩展
标签： 存储器接口
上传时间： 2013-11-22
上传用户：moerwang
RS-485的传输线如何合理屏蔽为了减少电磁耦合，防止大的共模干扰损坏器件，传输线最好加屏蔽。屏蔽接法如下，其中电容为几μF。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：momofiona
单片机基础知识单片机的外部结构：1、 DIP40双列直插；2、 P0，P1，P2，P3四个8位准双向I/O引脚；（作为I/O输入时，要先输出高电平）3、 电源VCC（PIN40）和地线GND（PIN20）；4、 高电平复位RESET（PIN9）；（10uF电容接VCC与RESET，即可实现上电复位）5、 内置振荡电路，外部只要接晶体至X1（PIN18）和X0（PIN19）；（频率为主频的12倍）6、 程序配置EA（PIN31）接高电平VCC；（运行单片机内部ROM中的程序）7、 P3支持第二功能：RXD、TXD、INT0、INT1、T0、T1 单片机内部I/O部件：(所为学习单片机，实际上就是编程控制以下I/O部件，完成指定任务)1、 四个8位通用I/O端口，对应引脚P0、P1、P2和P3；2、 两个16位定时计数器；（TMOD，TCON，TL0，TH0，TL1，TH1）3、 一个串行通信接口；（SCON，SBUF）4、 一个中断控制器；（IE，IP）针对AT89C52单片机，头文件AT89x52.h给出了SFR特殊功能寄存器所有端口的定义。教科书的160页给出了针对MCS51系列单片机的C语言扩展变量类型。 C语言编程基础：1、 十六进制表示字节0x5a：二进制为01011010B；0x6E为01101110。2、 如果将一个16位二进数赋给一个8位的字节变量，则自动截断为低8位，而丢掉高8位。3、 ++var表示对变量var先增一；var—表示对变量后减一。4、 x |= 0x0f;表示为 x = x | 0x0f;5、 TMOD = ( TMOD & 0xf0 ) | 0x05;表示给变量TMOD的低四位赋值0x5，而不改变TMOD的高四位。6、 While( 1 ); 表示无限执行该语句，即死循环。语句后的分号表示空循环体，也就是{;}第一章 单片机最小应用系统：单片机最小系统的硬件原理接线图：1、 接电源：VCC（PIN40）、GND（PIN20）。加接退耦电容0.1uF2、 接晶体：X1（PIN18）、X2（PIN19）。注意标出晶体频率（选用12MHz），还有辅助电容30pF3、 接复位：RES（PIN9）。接上电复位电路，以及手动复位电路，分析复位工作原理4、 接配置：EA（PIN31）。说明原因。第二章 基本I/O口的应用第三章 显示驱动第七章 串行接口应用
标签： 单片机
上传时间： 2013-10-30
上传用户：athjac
单片计算机（简称单片机）在工作时，因某种原因造成突然掉电，将会丢失数据存储器（RAM）里的数据，冲掉前期工作的所有信息。为了在突然掉电时能够保持数据存储器（RAM）的数据，保证单片机系统稳定、可靠地工作，数据信息处理的安全，虽然单片机主电源里有大容量滤波电容器，当掉电时，单片机靠贮存在电容器里的能量，一般能维持工作半个周期（10ms）左右。为此，要求一旦市电发生瞬间断电时，必须要有一种电源能在小于10ms 的时间内重新送电，确保单片机系统正常运行，这一任务就由UPS 来完成。电源系统瞬时掉电所产生的干扰会造成单片机的计算错误和数据丢失，有了UPS 可以使单片机系连续可靠地工作。单片机系统除使用UPS 外，下面介绍一种行之有效的后备电源。通过理论和实践证明，当供电电压由5V 下降到4 5V时单片机通常均能正常运行，但电压再往下跌落时，单片机就不能继续正常运行。在一般情况下CPU、CMOS、TTL 电路将因电源电压跌落而首先不能正常运行，RAM在电压跌落到比较低时尚能工作。因为单片机使用的主电源均有大容量电容，所以在主电源失电时，如果按放电曲线在下跌到单片机能正常运行工作的最低电压之前，把后备电源接上便能保持单片机正常运行。
上传时间： 2013-11-02
上传用户：niumeng16
80C51单片机由于功能全面、开发工具较为完善、衍生产品丰富、大量的设计资源可以继承和共享，得到广泛的应用。我们设计的一款手持线PDA产品，也选择80C51单片机作为主、辅CPU，还具备点阵液晶显示屏、导电橡胶键盘、双IC卡接口、EEPROM存储器、实时时钟和串行通信口。由于使用80C51单片机开发，高级语言编程，大大降低了设计的技术风险，产品在较短的时间内就推向了市场。但是，同一些低速的微控制器（如4位单片机）和高速的RISC处理器相比，80C51单片机在功耗上没有优势。为了在PDA类产品中发挥80C51单片机的上述特长，我们通过采取软、硬件配合的一系列措施，加强低电压、低功耗设计，取得了良好的效果。该机使用一颗3V钮扣式锂电池，开机时工作电池小于4mA，瞬间最大工作电流小于20mA,瞬间最大工作电流小于20mA，关机电流小于2μA。一颗电池可以使用较长的时间，达到满意的设计指标。一、低电压低功耗设计理论在一个器件中，功耗通常用电流消耗来表示。下式表明消耗的电池与器件特性之间的关系：Icc = C ∫ Vda ≈ ΔV · C · f （1）式中：Icc是器件消耗的电流；Δ是电压变化的幅值；C是器件电容和输出容性负载的大小；f是器件运行频率。从公式（1）可以得到降低系统功耗的理论依据。将器件供电电压从5V降低3V，可以至少降低40%的功耗。降低器件的工作频率，也能成比例地降低功耗。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：shaojie2080
